公开(公告)号：CN103915523B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410158934.8

申请日：2014-04-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  王奉友 ,  魏长春 ,  许盛之 ,  赵颖

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种含复合发射层硅异质结太阳电池的制备方法，该方法在沉积有双面本征非晶硅钝化层I的衬底C的一面沉积非晶硅背场N，而后于N的相对面上在较低掺杂浓度、氢稀释、功率密度的条件下制备结构均匀的非晶硅层P2，再通过提高掺杂浓度、氢稀释、功率密度的条件制备结构均匀的纳米晶硅层P1，两层硅薄膜构成的非晶硅/纳米晶硅复合结构作为硅异质结太阳电池的发射层。该结构可以使材料具有高透过率，高电导的特性，在此基础上也可以改善晶体硅表面的钝化效果，实现提高电池短波响应与输出特性的目的，且其制备方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN103915523A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410158934.8

申请日：2014-04-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  王奉友 ,  魏长春 ,  许盛之 ,  赵颖

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明提供了一种含复合发射层硅异质结太阳电池的制备方法，该方法在沉积有双面本征非晶硅钝化层I的衬底C的一面沉积非晶硅背场N，而后于N的相对面上在较低掺杂浓度、氢稀释、功率密度的条件下制备结构均匀的非晶硅层P2，再通过提高掺杂浓度、氢稀释、功率密度的条件制备结构均匀的纳米晶硅层P1，两层硅薄膜构成的非晶硅/纳米晶硅复合结构作为硅异质结太阳电池的发射层。该结构可以使材料具有高透过率，高电导的特性，在此基础上也可以改善晶体硅表面的钝化效果，实现提高电池短波响应与输出特性的目的，且其制备方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN103928573A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410169980.8

申请日：2014-04-25

Applicant: 南开大学

Inventor： 赵颖 ,  王奉友 ,  张晓丹 ,  姜元建 ,  魏长春 ,  许盛之

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186

Abstract: 一种用于制备太阳电池的硅片磷铝变温吸杂方法，步骤如下：将衬底硅片依次进行去损伤层、超声清洗后，在硅片正反两面先涂覆磷源，再蒸镀铝膜；然后采用氮气气氛保护下热处理依次进行一次吸杂、二次吸杂；冷却至室温后，放入氢氟酸和硝酸的混合液中腐蚀以去除吸杂层即可。本发明的优点是：该吸杂方法在磷铝吸杂基础上引入变温工艺，通过不同温度对吸杂的各个过程实现有效控制，充分利用磷吸杂和铝吸杂各自的优势；工艺简单易于实现，无需增加其他设备；吸杂效果明显，经吸杂处理后，硅片少子寿命有明显提升，同时在满足吸杂效果的前提下减少了工艺周期。

公开(公告)号：CN103924306A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410173846.5

申请日：2014-04-25

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  王奉友 ,  姜元建 ,  魏长春 ,  许盛之 ,  赵颖

IPC: C30B33/10

Abstract: 一种硅异质结太阳电池的制绒方法。该方法对太阳电池的单晶硅片实行两步制绒的工艺，在硅片表面形成3-10μm的圆滑金字塔结构、去除了硅片表面的金属离子残留，实现了形貌以及电学特性的修饰。该方法可以有效的降低硅片表面在400-1200nm波长范围内的反射率，提高了电池输出特性，且其制备方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN106449780A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610857001.7

申请日：2016-09-28

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  王奉友 ,  赵善真 ,  任千尚 ,  杜荣池 ,  魏长春 ,  陈新亮 ,  赵颖

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明提供了一种氧化物载流子传输层的硅异质结太阳电池及其制备方法，该方法在沉积有双面钝化层I的衬底S的一面沉积金属氧化物电子选择层ESL，而后于ESL的相对面上在较低的反应前驱物能量的情况下沉积高功函数的金属氧化物空穴选择层HSL，与低功函数的硅衬底形成了界面反型层，产生空穴选择的效果，而后在HSL层上沉积透明电极T，最后于电池正、反两面分别沉积金属电极M1和M2。该结构所采用的高功函数的HSL层兼具高透过、低吸收较的特性，可有效提升电池的光谱相应，且其制备方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN103924306B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201410173846.5

申请日：2014-04-25

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  王奉友 ,  姜元建 ,  魏长春 ,  许盛之 ,  赵颖

IPC: C30B33/10

Abstract: 一种硅异质结太阳电池的制绒方法。该方法对太阳电池的单晶硅片实行两步制绒的工艺，在硅片表面形成3-10μm的圆滑金字塔结构、去除了硅片表面的金属离子残留，实现了形貌以及电学特性的修饰。该方法可以有效的降低硅片表面在400-1200nm波长范围内的反射率，提高了电池输出特性，且其制备方法简单，易于实施。