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公开(公告)号：CN109092332A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811156491.3
申请日：2018-09-30
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： B01J27/057 , C25B1/04 , C25B11/06
摘要： 一种基于溶液法制备碳布负载硒化镍的方法。该方法包括以下步骤：制备前躯体溶液，前驱体溶液是将氢氧化镍粉末和硒粉按摩尔比0.98～1.02溶解于巯胺溶液中制备而成，巯胺溶液由乙二胺和乙二硫醇按体积比4∶1溶解而成，前驱体溶液浓度为0.145mmol/mL；将前驱体溶液滴涂在碳布(CC)上，滴涂量为每平方厘米0.14～0.2mL；然后置于加热板上，在300℃～400℃下加热40～80s，得到碳布负载硒化镍(NiSe/CC)。本发明采用了溶液法制备碳布负载硒化镍，极大的简化了制备工艺，大大缩短制备时间，降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN108776293A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201811105744.4
申请日：2018-09-21
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明为一种有机电致发光器件变温多脉冲瞬态电流响应的测试方法。该方法通过调制不同温度下脉冲电压的占空比，从而改变脉冲施加时器件内部载流子的堆积状态，并对比不同占空比下电流响应数据的正向电流峰值和反向电流峰值之间的关系，来分析有机电致发光器件内部载流子的输运机制，为制备性能更高的有机电致发光器件提供检测手段和分析方法。本发明能够实现对有机电致发光器件在脉冲电压驱动下的变温电流响应特性的测试与分析。
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公开(公告)号：CN103556223B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310579024.2
申请日：2013-11-18
申请人： 河北工业大学 , 唐山锐晶光电科技股份有限公司
摘要： 本发明一种生长大尺寸和方形蓝宝石单晶的方法，涉及铝的氧化物的单晶材料，使用呈外圆内方形即其外表面呈圆柱形内部空间为梯形锥体，和内部空间梯形锥体的上口的口径大于内部空间梯形锥体的底口的口径的专用坩埚，采用上部引晶定向结晶的工艺，生长具有特定晶面取向的长方体或正方体形状的蓝宝石晶体，克服了传统生长方法不能保证生长界面的均匀性和稳定性，导致晶体质量不高，同时由于其生长速率的各向异性，晶体生长过程容易出现较大热应力而碎裂和晶体完整性较差的诸多缺陷。
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公开(公告)号：CN108776293B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201811105744.4
申请日：2018-09-21
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明为一种有机电致发光器件变温多脉冲瞬态电流响应的测试方法。该方法通过调制不同温度下脉冲电压的占空比，从而改变脉冲施加时器件内部载流子的堆积状态，并对比不同占空比下电流响应数据的正向电流峰值和反向电流峰值之间的关系，来分析有机电致发光器件内部载流子的输运机制，为制备性能更高的有机电致发光器件提供检测手段和分析方法。本发明能够实现对有机电致发光器件在脉冲电压驱动下的变温电流响应特性的测试与分析。
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公开(公告)号：CN116145176A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310155887.0
申请日：2023-02-23
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： C25B11/075 , H01M4/90 , H01M4/88 , C25B11/061 , C25B11/031 , C25B1/04 , B82Y40/00
摘要： 一步原位制备非晶态硫化镍钴铁纳米片阵列析氧电极的方法。该方法包括以下步骤：将20mL三乙二醇倒入三颈烧瓶中，并加入一片泡沫镍钴铁；然后置于加热套中，在180℃时注入2mL巯基乙醇，保温20min，得到泡沫镍钴铁负载的非晶态硫化镍铁纳米片阵列(NiCoFeSx)。其中，泡沫镍钴铁的尺寸为1×3cm2，加热过程中需要冷凝回流。本发明采用一步法合成在镍钴铁泡沫上生长的非晶态硫化镍钴铁纳米片阵列，极大的简化了制备工艺，大大缩短制备时间，对大规模制备用于催化反应的各种自支撑金属硫化物电极具有巨大潜力。
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公开(公告)号：CN107473600A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710888223.X
申请日：2017-09-27
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明为一种全溶液制备掺硫硒化锑纳米棒薄膜的方法。该包括以下步骤：将锑粉、硒粉和硫粉的混合粉末溶于上步得到乙二硫醇和乙二胺的混合溶剂中，搅拌至溶解；将得到前驱体溶液旋涂到玻璃基底上，烘干后，重复旋涂-烘干步骤，直至玻璃基板上的前驱体薄膜的厚度900nm～1100nm；将所得前驱体薄膜进行300℃～350℃退火10min～30min，最后得到掺硫硒化锑纳米棒薄膜。本发明制备工艺简单，成本低，操作方便；得到致密、均匀、无杂质的Sb2(Se1-xSx)3纳米棒薄膜。
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公开(公告)号：CN106588671A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611186468.X
申请日：2016-12-21
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： C07C211/04 , C07C209/00 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , C07C211/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C07C209/00 , H01L51/0003 , H01L51/0077 , H01L51/4213
摘要： 本发明公开了钙钛矿结构甲胺铅碘纳米线的制备及尺寸和形貌的控制，并且成功的制备出纯相的甲胺铅碘纳米线，发现甲胺铅碘纳米线的生长关键是DMF的量，其作用是溶解碘化铅，溶解的碘化铅和甲胺碘迅速反应，结晶成核生长成一维的纳米线，本方法为溶解再结晶。本文还公开了将甲胺铅碘纳米线与光电探测器结合，其中在纯的SiO2衬底上进行生长，甲胺铅碘纳米线的光电性能优良，并且实现了甲胺铅碘纳米线在含碳支网膜100℃温度下生长，测试出纳米线的晶体的类型。
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