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公开(公告)号：CN116145176A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310155887.0
申请日：2023-02-23
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： C25B11/075 , H01M4/90 , H01M4/88 , C25B11/061 , C25B11/031 , C25B1/04 , B82Y40/00
摘要： 一步原位制备非晶态硫化镍钴铁纳米片阵列析氧电极的方法。该方法包括以下步骤：将20mL三乙二醇倒入三颈烧瓶中，并加入一片泡沫镍钴铁；然后置于加热套中，在180℃时注入2mL巯基乙醇，保温20min，得到泡沫镍钴铁负载的非晶态硫化镍铁纳米片阵列(NiCoFeSx)。其中，泡沫镍钴铁的尺寸为1×3cm2，加热过程中需要冷凝回流。本发明采用一步法合成在镍钴铁泡沫上生长的非晶态硫化镍钴铁纳米片阵列，极大的简化了制备工艺，大大缩短制备时间，对大规模制备用于催化反应的各种自支撑金属硫化物电极具有巨大潜力。
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公开(公告)号：CN108277406B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201810224004.6
申请日：2018-03-19
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明为一种具有交换偏置效应的形状记忆合金的制备方法。该方法包括以下步骤：按照Mn2‑xCoxNiAl所示成分的原子数比为：Mn：Co：Ni：Al＝(2‑x)：x：1:1，分别称取各金属单质，其中x＝0～0.3；放入电弧炉内，电弧熔炼3～5次后得到合金铸锭；打磨、清洗放入甩带机炉加电流使合金铸锭熔融后，利用试管与炉腔内气压差喷出熔融的样品后，得到具有交换偏置效应的形状记忆合金。本发明的制备工艺简单，成本低而且快捷。制备出的带状样品交换偏置效应比较大，且可以存在于较高温度(100K左右)，满足了一些在磁存储、磁记录以及自旋阀等领域内潜在应用的要求。
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公开(公告)号：CN109440075B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201811283399.3
申请日：2018-10-31
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明为一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁磁性的热退火方法。该方法首先将非磁性离子注入到GaN基底中，对该样品进行快速热退火处理，然后将磁性金属注入到经过退火处理的离子注入GaN基底中，对双离子注入的GaN样品进行第二次快速热退火处理，两次热退火处理都通入了相同的保护气体，升温速率和保温时间根据离子注入的离子种类进行设定。该方法有利于最大程度的激活注入离子活性，消除GaN基稀磁半导体材料中的离子注入损伤，增加自旋电子与载流子之间的交互作用，从而提高了GaN基稀磁半导体材料的室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN109205577A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811154047.8
申请日：2018-09-30
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： C01B19/04 , B82Y40/00 , H01L31/0224 , H01L31/08
摘要： 本发明为一种镍掺杂硒化锑纳米棒的制备方法及其应用。该方法包括以下步骤：将锑源和镍源加入到多元醇中，作为阳离子前驱液；将硒源加入到水合肼中作为阴离子前驱液；将上步得到阴离子前驱液加入到装有三乙二醇和聚乙烯吡咯烷酮的容器中，搅拌至聚乙烯吡咯烷酮粉末溶解；加热至180～230℃，倒入离子前驱液，保温回流，冷却至室温后，清洗，然后分散到无水乙醇中，得到镍掺杂硒化锑的纳米棒胶体。本发明得到的镍掺杂硒化锑纳米棒用于在光电探测器，可以有效提高硒化锑材料载流子浓度，且提升了光电探测器的光电流。
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公开(公告)号：CN107170543B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201710456082.4
申请日：2017-06-16
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明Sm‑Co基合金块状磁体的制备方法，涉及稀土钴基永磁合金，是一种具有明显磁晶各向异性的纳米晶Sm‑Co基合金块状磁体的制备方法，通过对Sm‑Co基合金快淬薄带进行高能球磨制备出Sm‑Co基合金全非晶粉末，随后在液压机下压制成块体，最后将压制好的Sm‑Co基合金块体放入磁场热处理炉中进行磁场热处理，使非晶相在加热过程中沿磁场方向重结晶，从而制得具有明显磁晶各向异性的纳米晶Sm‑Co基合金块状磁体，克服了现有技术只能对晶粒尺寸在微米级的Sm‑Co基合金块状磁体进行取向，而无法制备出具有明显择优取向的纳米晶Sm‑Co基合金块状磁体的缺陷。
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公开(公告)号：CN101649020A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910070477.6
申请日：2009-09-17
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： C08F220/14 , C08F220/18 , C08F212/10 , C08F120/14 , C08F2/26 , C08F4/30 , C08J9/00
摘要： 本发明为一种多层核壳结构聚丙烯酸酯发泡调节剂的制备方法。该方法制备一种以丙烯酸酯均聚物为核、丙烯酸酯及改性单体共聚物为壳的具有多层核壳结构的丙烯酸酯核壳共聚物。包括以下步骤：a.核层单体的预乳化；b.壳层单体的预乳化；c.丙烯酸酯乳液的制备，得到多层核壳丙烯酸酯共聚物乳液，经冷冻、洗涤、干燥等步骤得到具有多层核壳结构的丙烯酸酯共聚物粉末。该方法极大地改善了硬质低发泡聚氯乙烯的塑化时间和熔体强度，有利于颗粒在聚氯乙烯集体中的分散作用，充分发挥其塑化和提高熔体强度的作用。
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公开(公告)号：CN116043270A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310156013.7
申请日：2023-02-23
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： C25B11/091 , C25B11/054 , C25B1/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 微孔硫化镍复合氢氧化镍纳米阵列析氢电极的制备方法。该方法包括以下步骤：将2.25mmol硝酸镍，4mmol氟化铵和10mmol尿素溶解在35mL去离子水中。然后倒入45mL反应釜中，并加入两片泡沫镍(NF)，在120℃下保温6小时，得到泡沫镍负载的氢氧化镍纳米片阵列(Ni(OH)2/NF)；将2.5mL巯基乙醇溶解到25mL无水乙醇中，然后倒入45mL反应釜中，并加入一片Ni(OH)2/NF，在150℃下保温5小时，得到泡沫镍负载的硫化镍纳米片阵列(Ni3S2/NF)。最后，将大小1×1cm2 Ni3S2/NF在‑1.5V的电压下还原12小时，得到Ni3S2/Ni(OH)x/NF。其中，泡沫镍的尺寸为1×3cm2。本发明采用原位还原法在镍泡沫负载的硫化镍上生长非晶态的氢氧化镍，用本发明制备的Ni3S2/Ni(OH)x/NF具有优异的电催化析氢(HER)活性，尤其在大电流密度下，为高效HER电催化剂的合理设计提供了关键见解。
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公开(公告)号：CN107245673B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710450342.7
申请日：2017-06-15
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明铁基非晶纳米晶薄带磁体及其制备方法和应用方法，涉及铁作主要成分的非晶态合金，该铁基非晶纳米晶薄带磁体是Finemet型非晶纳米晶薄带磁体，其质量百分比组成表达式为AxFy，式中，x的质量百分比组成限定范围为70≤x≤90，y的质量百分比组成限定范围为10≤y≤30；A组分是原子百分比组成为FeaCubMcSidBe的主合金A，F组分是与A组分主合金A的组成相对应的非晶薄带F，由通过优化纳米晶α‑Fe(Si)相和非晶相的比例制得该铁基非晶纳米晶薄带磁体，被用于制备铁基非晶纳米晶软磁合金铁芯产品；本发明克服了现有类似产品存在磁性能仍较低，生产成本高和很难在生产中进行批量生产的缺陷。
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公开(公告)号：CN107170575B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201710350589.1
申请日：2017-05-18
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种软磁复合粉芯的制备方法，涉及按所用磁性材料区分的磁体，是以非晶纳米晶FeaSibMcBdCue粉为主粉，与水雾化Fe粉、气雾化FeNi50粉和气雾化FeSi3.5粉中的至少一种组成的辅粉按照设定的质量比均匀混合，将混合粉末用钝化液和绝缘剂在其表面形成钝化绝缘薄膜，再经压制成型及退火工艺处理，制得综合软磁性能优良的软磁复合粉芯，克服了现有技术制得的软磁粉芯存在饱和磁感应强度低，矫顽力偏大，损耗大以及高频下有效磁导率减小的缺陷。
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公开(公告)号：CN107170575A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710350589.1
申请日：2017-05-18
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： H01F1/14766 , B22F1/0003 , B22F1/0088 , C22C45/02 , H01F41/0246
摘要： 本发明一种软磁复合粉芯的制备方法，涉及按所用磁性材料区分的磁体，是以非晶纳米晶FeaSibMcBdCue粉为主粉，与水雾化Fe粉、气雾化FeNi50粉和气雾化FeSi3.5粉中的至少一种组成的辅粉按照设定的质量比均匀混合，将混合粉末用钝化液和绝缘剂在其表面形成钝化绝缘薄膜，再经压制成型及退火工艺处理，制得综合软磁性能优良的软磁复合粉芯，克服了现有技术制得的软磁粉芯存在饱和磁感应强度低，矫顽力偏大，损耗大以及高频下有效磁导率减小的缺陷。
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