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公开(公告)号：CN116145176A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310155887.0
申请日：2023-02-23
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： C25B11/075 , H01M4/90 , H01M4/88 , C25B11/061 , C25B11/031 , C25B1/04 , B82Y40/00
摘要： 一步原位制备非晶态硫化镍钴铁纳米片阵列析氧电极的方法。该方法包括以下步骤：将20mL三乙二醇倒入三颈烧瓶中，并加入一片泡沫镍钴铁；然后置于加热套中，在180℃时注入2mL巯基乙醇，保温20min，得到泡沫镍钴铁负载的非晶态硫化镍铁纳米片阵列(NiCoFeSx)。其中，泡沫镍钴铁的尺寸为1×3cm2，加热过程中需要冷凝回流。本发明采用一步法合成在镍钴铁泡沫上生长的非晶态硫化镍钴铁纳米片阵列，极大的简化了制备工艺，大大缩短制备时间，对大规模制备用于催化反应的各种自支撑金属硫化物电极具有巨大潜力。
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公开(公告)号：CN109440075A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811283399.3
申请日：2018-10-31
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明为一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁磁性的热退火方法。该方法首先将非磁性离子注入到GaN基底中，对该样品进行快速热退火处理，然后将磁性金属注入到经过退火处理的离子注入GaN基底中，对双离子注入的GaN样品进行第二次快速热退火处理，两次热退火处理都通入了相同的保护气体，升温速率和保温时间根据离子注入的离子种类进行设定。该方法有利于最大程度的激活注入离子活性，消除GaN基稀磁半导体材料中的离子注入损伤，增加自旋电子与载流子之间的交互作用，从而提高了GaN基稀磁半导体材料的室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN116180136A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310155953.4
申请日：2023-02-23
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： C25B11/091 , C25B11/061 , C25B11/054 , C25B11/031 , C25B1/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 氢氧化镍复合镍钼硫纳米阵列析氢电极的制备方法。该方法包括以下步骤：先将4mmolNH4F，10mmol尿素，2mmol的硝酸镍和0.33mmol的钼酸钠溶解到35mL去离子水中溶解，之后将两片泡沫镍(1×3cm2)放入装有上述溶液的反应釜中，在120℃下保温6h，得到泡沫镍负载的硫化镍纳米片阵列(Mo‑Ni(OH)2/NF)。再将2.5mL的2‑巯基乙醇与25mL的无水乙醇充分混合后转移到反应釜中，将一片Mo‑Ni(OH)2/NF置于溶液中，在150℃下保温5h即可得到泡沫镍负载的镍钼硫纳米片阵列(Mo‑Ni3S2/NF)。最后，将1×1cm2 Mo‑Ni3S2/NF在‑1.5～‑1.6V的电压下原位电化学还原6～18h，得到氢氧化镍复合镍钼硫纳米阵列(Ni(OH)x/Mo‑Ni3S2/NF)。本发明采用原位还原法在镍泡沫负载的镍钼硫纳米阵列上生长非晶态的氢氧化镍，优化的异质结构对电催化反应产生协同作用，表现出优异的析氢性能，为高效HER电催化剂的合理设计提供了关键见解。
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公开(公告)号：CN109440075B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201811283399.3
申请日：2018-10-31
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明为一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁磁性的热退火方法。该方法首先将非磁性离子注入到GaN基底中，对该样品进行快速热退火处理，然后将磁性金属注入到经过退火处理的离子注入GaN基底中，对双离子注入的GaN样品进行第二次快速热退火处理，两次热退火处理都通入了相同的保护气体，升温速率和保温时间根据离子注入的离子种类进行设定。该方法有利于最大程度的激活注入离子活性，消除GaN基稀磁半导体材料中的离子注入损伤，增加自旋电子与载流子之间的交互作用，从而提高了GaN基稀磁半导体材料的室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN208013061U
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201820511579.1
申请日：2018-04-11
申请人： 河北工业大学
摘要： 本实用新型为一种用于进行高温光致发光谱测量的样品台，所述的样品台包括装样台、样品盖、样品支架和保温套；装样台为竖直放置的圆盘，其左侧中心同轴设置有圆形凹槽；样品盖为装有石英玻璃的中空样品盖，通过螺纹连接盖在样品凹槽上；装样台的右侧凹槽内，设置有热电偶；热电偶的外面，贴合放置圆形加热片，圆形加热片的中心与反Z型样品支架的一端相连；装样台固定于中空圆柱型保温套中。本实用新型样品台便于对装样台进行局部加热，可以用于测量室温到300℃的光致发光吸收谱，设定温度和实际样品温度的温度误差在1℃以内。
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