本发明为一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁磁性的热退火方法。该方法首先将非磁性离子注入到GaN基底中，对该样品进行快速热退火处理，然后将磁性金属注入到经过退火处理的离子注入GaN基底中，对双离子注入的GaN样品进行第二次快速热退火处理，两次热退火处理都通入了相同的保护气体，升温速率和保温时间根据离子注入的离子种类进行设定。该方法有利于最大程度的激活注入离子活性，消除GaN基稀磁半导体材料中的离子注入损伤，增加自旋电子与载流子之间的交互作用，从而提高了GaN基稀磁半导体材料的室温铁磁性。