微孔硫化镍复合氢氧化镍纳米阵列析氢电极的制备方法

    公开(公告)号:CN116043270A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202310156013.7

    申请日:2023-02-23

    摘要: 微孔硫化镍复合氢氧化镍纳米阵列析氢电极的制备方法。该方法包括以下步骤:将2.25mmol硝酸镍,4mmol氟化铵和10mmol尿素溶解在35mL去离子水中。然后倒入45mL反应釜中,并加入两片泡沫镍(NF),在120℃下保温6小时,得到泡沫镍负载的氢氧化镍纳米片阵列(Ni(OH)2/NF);将2.5mL巯基乙醇溶解到25mL无水乙醇中,然后倒入45mL反应釜中,并加入一片Ni(OH)2/NF,在150℃下保温5小时,得到泡沫镍负载的硫化镍纳米片阵列(Ni3S2/NF)。最后,将大小1×1cm2 Ni3S2/NF在‑1.5V的电压下还原12小时,得到Ni3S2/Ni(OH)x/NF。其中,泡沫镍的尺寸为1×3cm2。本发明采用原位还原法在镍泡沫负载的硫化镍上生长非晶态的氢氧化镍,用本发明制备的Ni3S2/Ni(OH)x/NF具有优异的电催化析氢(HER)活性,尤其在大电流密度下,为高效HER电催化剂的合理设计提供了关键见解。

    一种红光发射BCNO荧光粉的制备方法

    公开(公告)号:CN104449695B

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201410719862.X

    申请日:2014-12-02

    IPC分类号: C09K11/65

    CPC分类号: Y02P20/124

    摘要: 本发明为一种红光发射BCNO荧光粉的制备方法,该方法包括以下步骤:步骤1:将硼酸和六次甲基四胺放入烘箱中进行加热预处理,其中,物料摩尔比为硼酸:六次甲基四胺=1:1~5;步骤2:将冷却后的硼酸和六次甲基四胺放入玛瑙研钵中进行研磨,然后继续进行球磨;步骤3:将球磨后的硼酸和六次甲基四胺放入马弗炉进行烧结,马弗炉以每分钟5度的升温速率升至625-700°C烧结8-24小时并自然冷却至室温;即得红光发射BCNO荧光粉。本发明仅需要两种原料,避免了尿素的使用,更加节能环保。该红光发射荧光粉不需要稀土元素掺杂而发光,发射峰位置随烧结温度、烧结时间和原料比例的改变很小,具有良好的稳定性。

    一种BCNO发光纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN105505388A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201511000023.3

    申请日:2015-12-25

    IPC分类号: C09K11/65 C01B35/14 B82Y40/00

    摘要: 本发明为一种BCNO发光纳米片的制备方法,该方法包括以下步骤:步骤1:将硼酸和双氰胺分别放入烘箱中进行加热预处理,加热温度为110~130°C,加热时间为4-6小时,加热完成后自然冷却至室温;步骤2:将加热预处理后的硼酸和双氰胺随即放入反应器中,再加入乙二醇,搅拌后将溶液温度升高将溶液蒸干,得到BCNO纳米片的前躯体;步骤3:将上步制备的BCNO纳米片前躯体在600~700°C下进行烧结,升温速率为每分钟5度,烧结时间为4~6小时,自然冷却至室温,即得到BCNO发光纳米片。本发明合成的BCNO发光纳米片无毒无污染,发射范围在蓝绿光波段,可以作为荧光素用于细胞标记、细胞成像和生物医学等领域。

    SiO2薄膜厚度的测量方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103115575B

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201310015956.4

    申请日:2013-01-16

    IPC分类号: G01B11/06

    摘要: 本发明SiO2薄膜厚度的测量方法,涉及采用光学方法计量厚度,是基于光纤激光器的SiO2薄膜厚度的测量方法,分为测量在SiO2氧化炉中Si片上生长的SiO2薄膜的厚度的动态测量方法和测量生长有SiO2薄膜的Si片上的SiO2薄膜厚度的静态测量方法两种,在测量操作的实施中采用在线实时测量操作或离线单独测量操作,所用的仪器和部件包括光纤激光器、载物架、接收屏、A/D转换器和DSP微处理器,该测量方法对SiO2薄膜的膜的表面没有损伤,克服了现有技术测量SiO2薄膜厚度的精度不高或所用设备的价格昂贵的缺点。