- 专利标题: 一种全溶液制备掺硫硒化锑纳米棒薄膜的方法
- 专利标题(英): All-solution preparation method of sulphur-doped antimony-selenide nanorod membrane
-
申请号: CN201710888223.X申请日: 2017-09-27
-
公开(公告)号: CN107473600A公开(公告)日: 2017-12-15
- 发明人: 颜昱非 , 刘彩池 , 刘辉 , 郝秋艳 , 张军
- 申请人: 河北工业大学
- 申请人地址: 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
- 专利权人: 河北工业大学
- 当前专利权人: 河北工业大学
- 当前专利权人地址: 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
- 代理机构: 天津翰林知识产权代理事务所
- 代理商 赵凤英
- 主分类号: C03C17/00
- IPC分类号: C03C17/00 ; C01B19/04
摘要:
本发明为一种全溶液制备掺硫硒化锑纳米棒薄膜的方法。该包括以下步骤:将锑粉、硒粉和硫粉的混合粉末溶于上步得到乙二硫醇和乙二胺的混合溶剂中,搅拌至溶解;将得到前驱体溶液旋涂到玻璃基底上,烘干后,重复旋涂-烘干步骤,直至玻璃基板上的前驱体薄膜的厚度900nm~1100nm;将所得前驱体薄膜进行300℃~350℃退火10min~30min,最后得到掺硫硒化锑纳米棒薄膜。本发明制备工艺简单,成本低,操作方便;得到致密、均匀、无杂质的Sb2(Se1-xSx)3纳米棒薄膜。
公开/授权文献
- CN107473600B 一种全溶液制备掺硫硒化锑纳米棒薄膜的方法 公开/授权日:2019-10-15