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公开(公告)号：CN113748435A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080029970.8
申请日：2020-03-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/00 , H01L27/18 , H01L39/12 , H03K19/195
Abstract: 可调谐量子位装置包括可调谐量子位，该可调谐量子位包括超导量子干扰装置(SQUID)环路。该可调谐量子位装置进一步包括感应地耦联到该SQUID环路上的超导环路、以及感应地耦联到该超导环路上的通量偏置线。该超导环路包括超导材料，该超导材料具有的临界温度低于该可调谐量子位的任何超导材料的临界温度的温度。在运行中，该超导环路向该可调谐量子位提供持续偏置。
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公开(公告)号：CN115136314A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015583.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了可以促进超导通量偏置环路的局部加热的装置、系统、和/或方法。根据实施例，一种装置(100)可以包括具有超导通量偏置电路的衬底(102)，该超导通量偏置电路包括耦合到通量控制量子位装置上的偏置环路(104)。该装置可进一步包括耦合至偏置环路的加热装置(106,108)。
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公开(公告)号：CN114938684A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202180008509.9
申请日：2021-01-07
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于调节量子力学装置(500)中的量子位(100)的谐振频率的方法包括：提供具有正面(202A)和背面(202B)的衬底(202)，所述正面具有形成在其上的至少量子位，所述至少量子位包括电容器垫(104A和104B)；以及在与所述至少一个量子位相对的区域处从所述衬底的背面去除衬底材料以改变所述至少一个量子位周围的电容，从而调整所述至少一个量子位的谐振频率。
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公开(公告)号：CN114631229A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076791.X
申请日：2020-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： R·海格特 , A·阿夫加利-阿达卡尼 , V·阿迪格 , M·桑博格 , 白韩姬
Abstract: 提供了关于封装量子处理器(100)的一个或多个超导器件的技术。例如，在此描述的一个或多个实施方案可以考虑一种方法，该方法可以包括将粘附层(402)沉积到超导谐振器(102)和硅基板(104)上，该超导谐振器和硅基板被包括在一个量子处理器内。超导谐振器可以位于硅基板上。此外，粘附层可以包含具有硫醇官能团的化合物。
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公开(公告)号：CN114631229B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202080076791.X
申请日：2020-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： R·海格特 , A·阿夫加利-阿达卡尼 , V·阿迪格 , M·桑博格 , 白韩姬
Abstract: 提供了关于封装量子处理器(100)的一个或多个超导器件的技术。例如，在此描述的一个或多个实施方案可以考虑一种方法，该方法可以包括将粘附层(402)沉积到超导谐振器(102)和硅基板(104)上，该超导谐振器和硅基板被包括在一个量子处理器内。超导谐振器可以位于硅基板上。此外，粘附层可以包含具有硫醇官能团的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115843471A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202180038577.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于改进量子机械器件中的量子位的寿命和相干时间的方法，包括：提供具有形成在前侧上的至少一个量子位的衬底，该至少一个量子位具有电容器衬垫；以及在与该量子位相对的区域处从背侧去除衬底材料和/或者在与该量子位相对的背侧区域处沉积超导金属层，以减少由于硅‑空气(SA)界面、金属‑空气(MA)界面或硅‑金属(SM)界面中的至少一个引起的射频电流损耗。
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公开(公告)号：CN115136313A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015276.5
申请日：2021-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了可以促进超导通量偏置环路的局部加热的装置、系统、和/或方法。根据实施例，一种方法可以包括在衬底(102)上形成超导通量偏置电路的偏置环路(104)和通量受控量子位装置。该方法还可以包括在衬底上形成加热装置(106,108)以将加热装置耦合到偏置环路。
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公开(公告)号：CN113841166B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202080036602.6
申请日：2020-05-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/00
Abstract: 一种模块化超导量子处理器，包括：第一超导芯片，其包括第一多个量子位和第二多个量子位，第一多个量子位各自基本上具有第一谐振频率，第二多个量子位各自基本上具有第二谐振频率，第一谐振频率不同于第二谐振频率；以及第二超导芯片，其包括第三多个量子位和第四多个量子位，第三多个量子位各自基本上具有第一谐振频率，第四多个量子位各自基本上具有第二谐振频率。该量子处理器进一步包括连接到第一超导芯片和第二超导芯片上的内插体芯片。内插体芯片具有被配置为将第二多个量子位耦合到第四多个量子位的内插体耦合器元件。
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公开(公告)号：CN112368838B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201980045189.7
申请日：2019-07-30
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了具有减少的远场辐射的对称量子位。在一个实例中，一个量子位装置(100)包括定位在该量子位装置的限定的位置周围的第一组超导电容器焊盘(110)，其中该第一组超导电容器焊盘包括具有一个第一极性的两个或更多个超导电容器焊盘，以及第二组超导电容器焊盘(112)，该第二组超导电容器焊盘以与该第一组超导电容器焊盘交替布置的方式定位在该量子位装置的限定位置周围，其中该第二组超导电容器焊盘包括两个或更多个超导电容器焊盘，这些超导电容器焊盘具有与该第一极性相反的第二极性。
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公开(公告)号：CN114787829A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084307.8
申请日：2020-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/00 , H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 根据本发明的实施例，量子处理器包括量子位芯片。该量子位芯片包括衬底、以及在该衬底的第一表面上形成的多个量子位。该多个量子位被安排在一种图案中，其中在该图案中的最近相邻量子位是连接的。该量子处理器还包括长距离连接器，该长距离连接器被配置为将该多个量子位的第一量子位连接到该多个量子位的第二量子位上，其中该第一和第二量子位被该图案中的至少第三量子位分隔开。
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