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    一种量子芯片的封装装置及其制造方法和一种量子器件
    1.
    发明公开
    一种量子芯片的封装装置及其制造方法和一种量子器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN113690363A

    公开(公告)日：2021-11-23

    申请号：CN202111009205.2

    申请日：2021-08-31

    申请人： 合肥本源量子计算科技有限责任公司

    发明人： 赵勇杰 ,  李业 ,  贾健豪 ,  方杰 ,  杨晖

    IPC分类号： H01L39/02 ,  H01L39/04 ,  H01L39/24 ,  G06N10/00

    摘要： 本发明公开了一种量子芯片的封装装置及其制造方法和一种量子器件，所述量子芯片的封装装置包括：第一基板；第一共面波导传输线，所述第一共面波导传输线包括第一中心导带及位于所述第一中心导带两侧的第一接地导带；第一导电层，所述第一导电层形成于所述第一接地导带上，且所述第一导电层与位于所述第一中心导带两侧的所述第一接地导带形成第一屏蔽腔，所述第一中心导带位于所述第一屏蔽腔内，本发明提出的量子芯片的封装装置，在其内部形成有第一导电层，所述第一导电层与第一共面波导传输线的第一接地导带形成第一屏蔽腔，第一共面波导传输线的第一中心导带位于所述第一屏蔽腔内，有效防止量子芯片上各个量子比特的传输信号相互串扰。

    超导磁体
    3.
    发明公开
    超导磁体 有权 转让

    公开(公告)号：CN112136189A

    公开(公告)日：2020-12-25

    申请号：CN201880093581.4

    申请日：2018-05-31

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 田中知德 ,  五明泰作

    IPC分类号： H01F6/04 ,  H01L39/04

    摘要： 一种超导磁体(100)，包括超导线圈(110)、制冷剂容器(120)、辐射屏蔽件(130)、真空容器(140)、第一配管(150)、制冷机(153)、分隔部(156)、第二配管(160)、第三配管(170)、第四配管(180)和至少一个泄压阀(190)。制冷机(153)配置成在该制冷机(153)与第一配管(150)之间构成气化的制冷剂(10G)的第一流路(11)。第三配管(170)在比真空容器(140)更靠外侧的位置处与第一配管(150)连接，并且在与真空容器(140)接触的同时延伸。第四配管(180)在比真空容器(140)更靠外侧的位置处与第二配管(160)连接，并且在与真空容器(140)接触的同时延伸。泄压阀(190)与第三配管(170)和第四配管(180)中的每一个连接。

    超导磁铁装置及超低温制冷机系统
    4.
    发明公开
    超导磁铁装置及超低温制冷机系统 有权

    公开(公告)号：CN109074932A

    公开(公告)日：2018-12-21

    申请号：CN201780017118.7

    申请日：2017-03-24

    申请人： 住友重机械工业株式会社

    发明人： 江原悠太 ,  森江孝明

    IPC分类号： H01F6/06 ,  F25B9/14 ,  H01L39/04

    摘要： 本发明提供一种超导磁铁装置及超低温制冷机系统。本发明的超导磁铁装置具备：压缩机，其压缩制冷剂气体；制冷机，其使制冷剂气体膨胀而产生寒冷；超导线圈，其被制冷机冷却；真空容器，其容纳超导线圈；线圈用电极，其与超导线圈连接且配置于真空容器的外部；及加热器，其对线圈用电极进行加热。

    超导磁体
    6.
    发明授权
    超导磁体 有权 转让

    公开(公告)号：CN106663514B

    公开(公告)日：2018-04-17

    申请号：CN201480081731.1

    申请日：2014-09-03

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 井上达也 ,  田边肇

    IPC分类号： H01F6/04 ,  H01F6/02 ,  H01L39/04

    CPC分类号： H01F6/04 ,  H01F6/02 ,  H01F6/06

    摘要： 本发明的超导磁体包括：超导线圈；制冷剂容器；辐射屏蔽件；真空容器；冷冻机；电流引线；第一配管，其贯通真空容器及辐射屏蔽件并通过制冷剂容器的内部来构成气化后的制冷剂的流路，并且具有插入并固定冷冻机的安装口；第二配管，其贯通真空容器及辐射屏蔽件并通过制冷剂容器的内部来构成气化后的制冷剂的流路，并且具有使电流引线在内部通过而被引出的引出口；以及流量比率维持机构，其至少与第一配管的安装口的下游侧以及第二配管的引出口的下游侧中的一方连接，并使气化后的制冷剂以一定的流量比率分别流经第一配管及第二配管。

    超导磁体的冷却方法及超导磁体
    7.
    发明公开
    超导磁体的冷却方法及超导磁体 有权 转让

    公开(公告)号：CN105190795A

    公开(公告)日：2015-12-23

    申请号：CN201380074770.4

    申请日：2013-03-18

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 田村一

    IPC分类号： H01F6/04 ,  H01L39/04

    CPC分类号： H01F6/04 ,  F25D19/006 ,  H01F6/00

    摘要： 本发明包括如下工序：通过使冷冻机的前端部与导热构件(180)的接触部(182)相接触，从而通过导热构件(180)将冷冻机与超导线圈(110)热连接，将超导线圈(110)冷却至极低温的工序(S100)；在上述冷却工序(S100)后，使冷冻机的前端部与导热构件(180)的接触部(182)成为非接触状态的工序(S110)；以及在上述非接触工序(S110)后，将液体氦(130)注入到氦槽(120)内的工序(S120)。

    超导磁体
    8.
    发明公开
    超导磁体 有权

    公开(公告)号：CN104303245A

    公开(公告)日：2015-01-21

    申请号：CN201380025403.5

    申请日：2013-05-10

    申请人： 住友电气工业株式会社

    发明人： 西村崇 ,  加藤武志

    IPC分类号： H01F6/00 ,  H01L39/04

    CPC分类号： H01F6/06 ,  H01F6/00

    摘要： 线圈单元(10)由具有带状表面氧化物超导线卷绕形成。剩磁磁场抑制单元(81)配置在线圈单元(10)中。剩磁磁场抑制单元(81)具有在线圈单元(10)的轴向方向(Aa)上延伸的通孔(HL)。剩磁磁场抑制单元(81)由磁性体形成。因此，能够抑制剩磁磁场。

    用于超导装置的容器和超导装置
    9.
    发明授权
    用于超导装置的容器和超导装置 失效

    公开(公告)号：CN102318098B

    公开(公告)日：2015-01-14

    申请号：CN201080007705.6

    申请日：2010-10-05

    申请人： 住友电气工业株式会社

    发明人： 尾山仁 ,  新里刚

    IPC分类号： H01L39/04 ,  H01R4/68

    CPC分类号： H01R4/68 ,  H01F6/065 ,  H02G3/22 ,  Y02E40/648

    摘要： 本发明提供了超导装置的容器和超导装置。所述容器在其中安装作为包括超导体的构件的超导线圈。所述容器设置有：真空绝缘容器(20)，其作为由树脂制成并且设置有开口的壳体；引线电极(50)，其作为金属构件，被设置成使得其穿过所述开口；以及连接构件(63)和(65)的组合，其覆盖所述开口，将引线电极(50)连接到真空绝缘容器(20)，并且设置有作为热应力缓和部的弯曲部。通过具有以上结构，所述容器可以抑制在金属构件通过并且固定于所述容器的壁的部分中出现分离和裂缝，在所述容器中安装诸如超导线圈的超导。