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公开(公告)号：CN115136314A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015583.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了可以促进超导通量偏置环路的局部加热的装置、系统、和/或方法。根据实施例，一种装置(100)可以包括具有超导通量偏置电路的衬底(102)，该超导通量偏置电路包括耦合到通量控制量子位装置上的偏置环路(104)。该装置可进一步包括耦合至偏置环路的加热装置(106,108)。
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公开(公告)号：CN114938684A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202180008509.9
申请日：2021-01-07
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于调节量子力学装置(500)中的量子位(100)的谐振频率的方法包括：提供具有正面(202A)和背面(202B)的衬底(202)，所述正面具有形成在其上的至少量子位，所述至少量子位包括电容器垫(104A和104B)；以及在与所述至少一个量子位相对的区域处从所述衬底的背面去除衬底材料以改变所述至少一个量子位周围的电容，从而调整所述至少一个量子位的谐振频率。
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公开(公告)号：CN119014149A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380033479.6
申请日：2023-04-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10N60/01 , G06N10/40 , H10N69/00 , H01L23/525 , B82Y10/00
Abstract: 一种超导连接系统包括反熔断器结构。存在具有在衬底的空腔上方悬伸的第一区段的第一超导迹线。具有在衬底中的空腔上方悬伸的第二区段的第二超导迹线。第一辅助区段耦合到第一区段上，并且悬置在空腔上方。第二辅助区段耦合到第二区段上，并且悬置在空腔上方。第一区段和第二区段彼此面对，并且在其间具有预定间隙。第一区段和第二区段被配置成接收激光的输出。第一和第二辅助区段的材料的量是基于在接收到激光的输出时形成在第一超导迹线和第二超导迹线之间提供电短路的熔断球接头。
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公开(公告)号：CN114631229A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076791.X
申请日：2020-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： R·海格特 , A·阿夫加利-阿达卡尼 , V·阿迪格 , M·桑博格 , 白韩姬
Abstract: 提供了关于封装量子处理器(100)的一个或多个超导器件的技术。例如，在此描述的一个或多个实施方案可以考虑一种方法，该方法可以包括将粘附层(402)沉积到超导谐振器(102)和硅基板(104)上，该超导谐振器和硅基板被包括在一个量子处理器内。超导谐振器可以位于硅基板上。此外，粘附层可以包含具有硫醇官能团的化合物。
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公开(公告)号：CN112368838B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201980045189.7
申请日：2019-07-30
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了具有减少的远场辐射的对称量子位。在一个实例中，一个量子位装置(100)包括定位在该量子位装置的限定的位置周围的第一组超导电容器焊盘(110)，其中该第一组超导电容器焊盘包括具有一个第一极性的两个或更多个超导电容器焊盘，以及第二组超导电容器焊盘(112)，该第二组超导电容器焊盘以与该第一组超导电容器焊盘交替布置的方式定位在该量子位装置的限定位置周围，其中该第二组超导电容器焊盘包括两个或更多个超导电容器焊盘，这些超导电容器焊盘具有与该第一极性相反的第二极性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114787829A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084307.8
申请日：2020-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/00 , H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 根据本发明的实施例，量子处理器包括量子位芯片。该量子位芯片包括衬底、以及在该衬底的第一表面上形成的多个量子位。该多个量子位被安排在一种图案中，其中在该图案中的最近相邻量子位是连接的。该量子处理器还包括长距离连接器，该长距离连接器被配置为将该多个量子位的第一量子位连接到该多个量子位的第二量子位上，其中该第一和第二量子位被该图案中的至少第三量子位分隔开。
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公开(公告)号：CN112368838A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980045189.7
申请日：2019-07-30
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了具有减少的远场辐射的对称量子位。在一个实例中，一个量子位装置(100)包括定位在该量子位装置的限定的位置周围的第一组超导电容器焊盘(110)，其中该第一组超导电容器焊盘包括具有一个第一极性的两个或更多个超导电容器焊盘，以及第二组超导电容器焊盘(112)，该第二组超导电容器焊盘以与该第一组超导电容器焊盘交替布置的方式定位在该量子位装置的限定位置周围，其中该第二组超导电容器焊盘包括两个或更多个超导电容器焊盘，这些超导电容器焊盘具有与该第一极性相反的第二极性。
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公开(公告)号：CN114631229B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202080076791.X
申请日：2020-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： R·海格特 , A·阿夫加利-阿达卡尼 , V·阿迪格 , M·桑博格 , 白韩姬
Abstract: 提供了关于封装量子处理器(100)的一个或多个超导器件的技术。例如，在此描述的一个或多个实施方案可以考虑一种方法，该方法可以包括将粘附层(402)沉积到超导谐振器(102)和硅基板(104)上，该超导谐振器和硅基板被包括在一个量子处理器内。超导谐振器可以位于硅基板上。此外，粘附层可以包含具有硫醇官能团的化合物。
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公开(公告)号：CN115843471A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202180038577.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于改进量子机械器件中的量子位的寿命和相干时间的方法，包括：提供具有形成在前侧上的至少一个量子位的衬底，该至少一个量子位具有电容器衬垫；以及在与该量子位相对的区域处从背侧去除衬底材料和/或者在与该量子位相对的背侧区域处沉积超导金属层，以减少由于硅‑空气(SA)界面、金属‑空气(MA)界面或硅‑金属(SM)界面中的至少一个引起的射频电流损耗。
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公开(公告)号：CN115136313A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015276.5
申请日：2021-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了可以促进超导通量偏置环路的局部加热的装置、系统、和/或方法。根据实施例，一种方法可以包括在衬底(102)上形成超导通量偏置电路的偏置环路(104)和通量受控量子位装置。该方法还可以包括在衬底上形成加热装置(106,108)以将加热装置耦合到偏置环路。
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