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公开(公告)号：CN104109633B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410155307.9
申请日：2014-04-17
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 彭红波 , S·M·罗斯纳格尔 , A·K·罗尤鲁 , G·A·斯托洛维茨基 , 王德强
CPC classification number: G01N33/48721 , C12Q1/6869 , C23C18/161 , C23C18/1644 , C23C18/1675 , C23C18/42 , C25D3/50 , C25D5/02 , C25D7/00 , C25D7/12 , C25D21/12
Abstract: 本发明涉及用于纳米孔DNA测序的隧穿结的制造。提供了一种形成纳米器件的机制。用导电流体填充贮液器，并且形成隔膜以分开纳米器件中的贮液器。所述隔膜包括电极层，所述电极层具有形成于其中的隧穿结。形成所述隔膜以具有穿过所述隔膜的一个或多个其它层形成的纳米孔，使得所述纳米孔与所述电极层的隧穿结对准。通过电镀或者无电沉积将所述电极层的隧穿结变窄到窄尺寸。当向所述电极层施加电压时，由在所述隧穿结中的碱基产生隧穿电流，该隧穿电流作为区分所述碱基的电流特征信号被测量。当在所述隧穿结的内表面上形成有机涂层时，在所述电极层与所述碱基之间形成瞬态键。
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公开(公告)号：CN104342436A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410371321.2
申请日：2014-07-30
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 栾斌全 , A·K·罗尤鲁 , G·A·斯托洛维茨基 , 王超 , 王德强
CPC classification number: C12P19/34 , C12N15/11 , C12Q1/6806 , Y10T436/143333 , C12Q2565/131 , C12Q2565/631
Abstract: 包括第一双链(ds)部分、包括至少一个单链(ss)部分的第二部分以及第三ds部分的混合多核苷酸。所述第二部分与第一ds部分以及第三ds部分连接，以提供经修饰的多核苷酸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103922275A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410007808.2
申请日：2014-01-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , 栾斌全 , G·A·斯托洛维茨基 , 王超 , 王德强
CPC classification number: H01B13/06 , B82Y40/00 , G01N33/48721 , Y10S977/70
Abstract: 本发明涉及晶片级自形成纳米通道及其制造方法。提供了一种制造纳米器件的纳米通道的机制。在衬底上沉积绝缘膜。在所述膜上构图纳米线。在所述纳米线和膜上沉积绝缘材料。在所述绝缘材料中形成第一圆形孔洞作为入口，所述第一圆形孔洞在所述纳米线的第一末端上方从而暴露所述第一末端。形成第二圆形孔洞作为出口，所述第二圆形孔洞在所述纳米线的与所述第一末端相对的第二末端上方从而暴露所述第二末端。通过所述第一和第二孔洞中的蚀刻剂蚀刻掉所述纳米线，纳米通道连接所述第一和第二孔洞。在所述第一圆形孔洞上附着第一储存器使其在所述第一末端原先的位置处与所述纳米通道连接。在所述第二圆形孔洞上附着第二储存器使其在所述第二末端原先的位置处与所述纳米通道连接。
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公开(公告)号：CN104487836B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380038979.5
申请日：2013-05-30
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 彭红波 , G·A·斯托洛维茨基 , 王德强
IPC: G01N27/447
CPC classification number: B03C5/005 , B03C5/026 , B03C2201/26 , B82Y15/00
Abstract: 提供一种用于捕获分子的机构。纳米孔通过将第一腔与第二腔分开的膜，并且所述纳米孔、所述第一腔和所述第二腔填充有离子缓冲物。窄颈部处于所述第一腔的中间区域，并且所述窄颈部被对准到所述纳米孔的入口。与具有低强度电场的所述第一腔的其它区域相比，所述窄颈部具有高强度电场。在对准到所述纳米孔的所述入口的中间区域处，具有高强度电场的所述窄颈部集中所述分子。施加在所述第一腔和所述第二腔之间的电压驱动被集中在所述纳米孔的所述入口处的所述分子通过所述纳米孔。
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公开(公告)号：CN103922275B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410007808.2
申请日：2014-01-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , 栾斌全 , G·A·斯托洛维茨基 , 王超 , 王德强
CPC classification number: H01B13/06 , B82Y40/00 , G01N33/48721 , Y10S977/70
Abstract: 本发明涉及晶片级自形成纳米通道及其制造方法。提供了一种制造纳米器件的纳米通道的机制。在衬底上沉积绝缘膜。在所述膜上构图纳米线。在所述纳米线和膜上沉积绝缘材料。在所述绝缘材料中形成第一圆形孔洞作为入口，所述第一圆形孔洞在所述纳米线的第一末端上方从而暴露所述第一末端。形成第二圆形孔洞作为出口，所述第二圆形孔洞在所述纳米线的与所述第一末端相对的第二末端上方从而暴露所述第二末端。通过所述第一和第二孔洞中的蚀刻剂蚀刻掉所述纳米线，纳米通道连接所述第一和第二孔洞。在所述第一圆形孔洞上附着第一储存器使其在所述第一末端原先的位置处与所述纳米通道连接。在所述第二圆形孔洞上附着第二储存器使其在所述第二末端原先的位置处与所述纳米通道连接。
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公开(公告)号：CN104487836A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380038979.5
申请日：2013-05-30
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 彭红波 , G·A·斯托洛维茨基 , 王德强
IPC: G01N27/447
CPC classification number: B03C5/005 , B03C5/026 , B03C2201/26 , B82Y15/00
Abstract: 提供一种用于捕获分子的机构。纳米孔通过将第一腔与第二腔分开的膜，并且所述纳米孔、所述第一腔和所述第二腔填充有离子缓冲物。窄颈部处于所述第一腔的中间区域，并且所述窄颈部被对准到所述纳米孔的入口。与具有低强度电场的所述第一腔的其它区域相比，所述窄颈部具有高强度电场。在对准到所述纳米孔的所述入口的中间区域处，具有高强度电场的所述窄颈部集中所述分子。施加在所述第一腔和所述第二腔之间的电压驱动被集中在所述纳米孔的所述入口处的所述分子通过所述纳米孔。
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公开(公告)号：CN104109633A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410155307.9
申请日：2014-04-17
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 彭红波 , S·M·罗斯纳格尔 , A·K·罗尤鲁 , G·A·斯托洛维茨基 , 王德强
CPC classification number: G01N33/48721 , C12Q1/6869 , C23C18/161 , C23C18/1644 , C23C18/1675 , C23C18/42 , C25D3/50 , C25D5/02 , C25D7/00 , C25D7/12 , C25D21/12 , C12Q2563/157
Abstract: 本发明涉及用于纳米孔DNA测序的隧穿结的制造。提供了一种形成纳米器件的机制。用导电流体填充贮液器，并且形成隔膜以分开纳米器件中的贮液器。所述隔膜包括电极层，所述电极层具有形成于其中的隧穿结。形成所述隔膜以具有穿过所述隔膜的一个或多个其它层形成的纳米孔，使得所述纳米孔与所述电极层的隧穿结对准。通过电镀或者无电沉积将所述电极层的隧穿结变窄到窄尺寸。当向所述电极层施加电压时，由在所述隧穿结中的碱基产生隧穿电流，该隧穿电流作为区分所述碱基的电流特征信号被测量。当在所述隧穿结的内表面上形成有机涂层时，在所述电极层与所述碱基之间形成瞬态键。
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