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公开(公告)号：CN115700066A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180013106.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , R·海特 , M·桑德伯格 , V·阿迪加
IPC: H10N60/01 , G06N10/00 , H10N69/00 , B82Y10/00
Abstract: 提供了可以促进在量子器件上形成自组装单层的器件、方法、和/或计算机实施的方法。根据实施例，器件可以包括在衬底上形成的量子位。所述器件可以进一步包括形成在所述量子位上的自组装单层。
