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公开(公告)号:CN111133623B
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN201880061824.6
申请日:2018-09-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01M10/00
Abstract: 通过形成可再充电电池堆,提供了大容量和高性能可再充电电池,该可再充电电池堆包括剥落材料结构,该剥落材料结构包括具有至少一个纹理化的表面的剥落阴极材料层和具有至少一个纹理化的表面的应力源层。应力源层用作可再充电电池堆的阴极集电器。剥落的阴极材料层的至少一个纹理化的表面在阴极和剥落的阴极材料层上方的电解质之间的电解质之间形成较大的界面区域。阴极和电解质之间的较大界面面积会降低可充电电池堆内的界面电阻。
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公开(公告)号:CN111213266A
公开(公告)日:2020-05-29
申请号:CN201880066818.X
申请日:2018-09-27
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种高容量和高性能的可再充电电池,其包含具有改善的表面粗糙度的阴极材料层。提供阴极材料层,其中阴极材料层的至少上部由纳米颗粒(即,颗粒尺寸小于0.1μm的颗粒)组成。在一些实施例中,阴极材料层的下部(或基部)由颗粒尺寸大于形成阴极材料层的上部的纳米颗粒的颗粒组成。在其它实施例中,阴极材料层的整体由纳米颗粒组成。在任一实施例中,介电材料的共形层可设置在阴极材料层的上部的最顶表面上。介电材料的共形层的存在可以进一步改善阴极材料层的平滑度。
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公开(公告)号:CN111279467B
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN201880070106.5
申请日:2018-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/822
Abstract: 提供了一种半导体结构,其包含控制栅极偏压并具有增加的输出电压保持率和电压分辨率的非易失性电池。该半导体结构可以包括半导体衬底,该半导体衬底包括位于源极/漏极区域之间的至少一个沟道区域。栅极电介质材料位于半导体衬底的沟道区域上。电池堆叠位于栅极电介质材料上。该电池堆叠包括:位于栅极电介质材料上的阴极集电器,位于阴极集电器上的阴极材料,位于阴极材料上的第一离子扩散阻挡材料,位于第一离子扩散阻挡材料上的电解质,位于电解质上的第二离子扩散阻挡材料,位于第二离子扩散阻挡材料上的阳极区域和位于阳极区域上的阳极集电器。
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公开(公告)号:CN111279467A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN201880070106.5
申请日:2018-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/822
Abstract: 提供了一种半导体结构,其包含控制栅极偏压并具有增加的输出电压保持率和电压分辨率的非易失性电池。该半导体结构可以包括半导体衬底,该半导体衬底包括位于源极/漏极区域之间的至少一个沟道区域。栅极电介质材料位于半导体衬底的沟道区域上。电池堆叠位于栅极电介质材料上。该电池堆叠包括:位于栅极电介质材料上的阴极集电器,位于阴极集电器上的阴极材料,位于阴极材料上的第一离子扩散阻挡材料,位于第一离子扩散阻挡材料上的电解质,位于电解质上的第二离子扩散阻挡材料,位于第二离子扩散阻挡材料上的阳极区域和位于阳极区域上的阳极集电器。
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公开(公告)号:CN111133623A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201880061824.6
申请日:2018-09-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01M10/00
Abstract: 通过形成可再充电电池堆,提供了大容量和高性能可再充电电池,该可再充电电池堆包括剥落材料结构,该剥落材料结构包括具有至少一个纹理化的表面的剥落阴极材料层和具有至少一个纹理化的表面的应力源层。应力源层用作可再充电电池堆的阴极集电器。剥落的阴极材料层的至少一个纹理化的表面在阴极和剥落的阴极材料层上方的电解质之间的电解质之间形成较大的界面区域。阴极和电解质之间的较大界面面积会降低可充电电池堆内的界面电阻。
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公开(公告)号:CN110870122A
公开(公告)日:2020-03-06
申请号:CN201880046522.1
申请日:2018-07-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01M10/0525
Abstract: 通过在锂化阴极材料层和锂基固态电解质层之间包括富氮锂化阴极材料表面层,来提供具有快速充电和再充电速度(高于3C)的固态锂基电池。可以通过将氮引入到锂化阴极材料中来形成富氮锂化阴极材料表面层。可以在沉积工艺的最后阶段或通过利用与沉积工艺不同的工艺(例如,热氮化)来引入氮。
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公开(公告)号:CN105977339B
公开(公告)日:2018-04-10
申请号:CN201610139737.0
申请日:2016-03-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0326 , H01L31/072 , H01L31/0749 , H01L31/1892 , Y02E10/541
Abstract: 公开了光伏器件和制造其的方法。用于制造光伏器件的方法,所述方法包括在第一单晶基板上形成二维材料。在所述第一单晶基板之上生长包括Cu‑Zn‑Sn‑S(Se)(CZTSSe)的单晶吸收体层。由所述二维材料剥离所述单晶吸收体层。将所述单晶吸收体层转移至第二基板,并且将所述单晶吸收体层放置于在第二基板上形成的导电层上。在所述单晶吸收体层上形成另外的层以完成所述光伏器件。
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