公开(公告)号：CN111149222A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880062094.1

申请日：2018-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李允锡 ,  S·博德尔 ,  J·P·德萨扎 ,  D·萨达纳

IPC: H01L33/00

Abstract: 提供了通过形成可再充电电池堆来提供形成高容量和高性能可再充电电池的方法，该可再充电电池堆包括剥落材料结构，该剥落材料结构包括附接到应力源材料上的剥落的阴极材料。剥落的阴极材料可包括不含聚合物粘合剂的单晶或多晶阴极材料。压力源材料用作可再充电电池堆的阴极集电器。

公开(公告)号：CN114747034B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202080083943.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  J·德扎索 ,  S·博德尔 ,  D·萨达纳

IPC: H10B63/10

Abstract: 底部电极(110)沉积在衬底(105)的顶部上。介电材料层(115)沉积在底部电极(110)的顶部上。在介电材料层(115)中产生孔。在介电材料层(115)上旋涂并烘烤剥离层(116)。在剥离层(116)上旋涂并烘烤光致抗蚀剂层(117)。执行UV光刻以在介电材料层(115)中的孔上方产生开口。Ag层(120)沉积在剩余的图案化的介电材料层和光致抗蚀剂层(117)的顶部上。在Ag层(120)的顶部上沉积碲锗锑(GST)层(130)。顶部电极(140)沉积在GST层的顶部上(130)。去除Ag层(120)、GST层(130)和位于光致抗蚀剂层(117)顶部上的顶部电极(140)以及光致抗蚀剂层(117)和剥离层(116)。

公开(公告)号：CN111133623A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880061824.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李允锡 ,  S·博德尔 ,  J·P·德萨扎 ,  D·萨达纳

IPC: H01M10/00

Abstract: 通过形成可再充电电池堆，提供了大容量和高性能可再充电电池，该可再充电电池堆包括剥落材料结构，该剥落材料结构包括具有至少一个纹理化的表面的剥落阴极材料层和具有至少一个纹理化的表面的应力源层。应力源层用作可再充电电池堆的阴极集电器。剥落的阴极材料层的至少一个纹理化的表面在阴极和剥落的阴极材料层上方的电解质之间的电解质之间形成较大的界面区域。阴极和电解质之间的较大界面面积会降低可充电电池堆内的界面电阻。

公开(公告)号：CN111133623B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201880061824.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李允锡 ,  S·博德尔 ,  J·P·德萨扎 ,  D·萨达纳

IPC: H01M10/00

Abstract: 通过形成可再充电电池堆，提供了大容量和高性能可再充电电池，该可再充电电池堆包括剥落材料结构，该剥落材料结构包括具有至少一个纹理化的表面的剥落阴极材料层和具有至少一个纹理化的表面的应力源层。应力源层用作可再充电电池堆的阴极集电器。剥落的阴极材料层的至少一个纹理化的表面在阴极和剥落的阴极材料层上方的电解质之间的电解质之间形成较大的界面区域。阴极和电解质之间的较大界面面积会降低可充电电池堆内的界面电阻。

公开(公告)号：CN111133624B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201880062514.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李允锡 ,  S·博德尔 ,  J·P·德萨扎 ,  D·萨达纳

IPC: H01M10/04

Abstract: 提供了高容量(即，容量为50mAh/gm或更大)和高性能可再充电电池，其包含可再充电电池堆，该可再充电电池堆包括剥落的材料结构，该剥落的材料结构包括附接到应力源材料上的阴极材料层。阴极材料可包括不含聚合物粘合剂的单晶。压力源材料用作可再充电电池堆的阴极集电器。

公开(公告)号：CN114747034A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080083943.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  J·德扎索 ,  S·博德尔 ,  D·萨达纳

IPC: H01L45/00

Abstract: 底部电极(110)沉积在衬底(105)的顶部上。介电材料层(115)沉积在底部电极(110)的顶部上。在介电材料层(115)中产生孔。在介电材料层(115)上旋涂并烘烤剥离层(116)。在剥离层(116)上旋涂并烘烤光致抗蚀剂层(117)。执行UV光刻以在介电材料层(115)中的孔上方产生开口。Ag层(120)沉积在剩余的图案化的介电材料层和光致抗蚀剂层(117)的顶部上。在Ag层(120)的顶部上沉积碲锗锑(GST)层(130)。顶部电极(140)沉积在GST层的顶部上(130)。去除Ag层(120)、GST层(130)和位于光致抗蚀剂层(117)顶部上的顶部电极(140)以及光致抗蚀剂层(117)和剥离层(116)。

公开(公告)号：CN111133624A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062514.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李允锡 ,  S·博德尔 ,  J·P·德萨扎 ,  D·萨达纳

IPC: H01M10/04

Abstract: 提供了高容量(即，容量为50mAh/gm或更大)和高性能可再充电电池，其包含可再充电电池堆，该可再充电电池堆包括剥落的材料结构，该剥落的材料结构包括附接到应力源材料上的阴极材料层。阴极材料可包括不含聚合物粘合剂的单晶。压力源材料用作可再充电电池堆的阴极集电器。