公开(公告)号：CN114747034A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080083943.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  J·德扎索 ,  S·博德尔 ,  D·萨达纳

IPC: H01L45/00

Abstract: 底部电极(110)沉积在衬底(105)的顶部上。介电材料层(115)沉积在底部电极(110)的顶部上。在介电材料层(115)中产生孔。在介电材料层(115)上旋涂并烘烤剥离层(116)。在剥离层(116)上旋涂并烘烤光致抗蚀剂层(117)。执行UV光刻以在介电材料层(115)中的孔上方产生开口。Ag层(120)沉积在剩余的图案化的介电材料层和光致抗蚀剂层(117)的顶部上。在Ag层(120)的顶部上沉积碲锗锑(GST)层(130)。顶部电极(140)沉积在GST层的顶部上(130)。去除Ag层(120)、GST层(130)和位于光致抗蚀剂层(117)顶部上的顶部电极(140)以及光致抗蚀剂层(117)和剥离层(116)。

公开(公告)号：CN114747034B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202080083943.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  J·德扎索 ,  S·博德尔 ,  D·萨达纳

IPC: H10B63/10

Abstract: 底部电极(110)沉积在衬底(105)的顶部上。介电材料层(115)沉积在底部电极(110)的顶部上。在介电材料层(115)中产生孔。在介电材料层(115)上旋涂并烘烤剥离层(116)。在剥离层(116)上旋涂并烘烤光致抗蚀剂层(117)。执行UV光刻以在介电材料层(115)中的孔上方产生开口。Ag层(120)沉积在剩余的图案化的介电材料层和光致抗蚀剂层(117)的顶部上。在Ag层(120)的顶部上沉积碲锗锑(GST)层(130)。顶部电极(140)沉积在GST层的顶部上(130)。去除Ag层(120)、GST层(130)和位于光致抗蚀剂层(117)顶部上的顶部电极(140)以及光致抗蚀剂层(117)和剥离层(116)。