公开(公告)号：CN1879227A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033367.8

申请日：2004-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·B·多里斯 ,  M·P·别良斯基 ,  D·C·博伊德 ,  D·奇丹巴尔拉奥 ,  O·格卢斯秦克夫

IPC: H01L31/119 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/336 ,  H01L31/113

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造半导体器件结构的方法，包括：提供衬底(1)，在所述衬底(1)上提供电极(6)，在所述电极(6)中形成凹槽(12)，所述凹槽具有开口，在所述凹槽内设置小颗粒半导体材料(17)，覆盖所述开口以包含所述凹槽内的所述小颗粒半导体材料，以及接着退火所得结构。

公开(公告)号：CN111066154B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201880058867.9

申请日：2018-09-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·埃布里什 ,  O·格卢斯秦克夫

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种用于减少晶体管的串联电阻的方法，包括在半导体衬底上形成导电栅极并与半导体衬底绝缘；在衬底内形成源极和/或漏极延伸区域并与相应的源极和/或漏极区域相邻；以及在衬底内形成源极和/或漏极区域。源极和/或漏极延伸区由与第一掺杂剂和第二掺杂剂合金化的材料构成，第一掺杂剂被配置为增加形成源极和/或漏极延伸区的材料的晶格结构。

公开(公告)号：CN115336019A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180022421.2

申请日：2021-02-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·霍姆斯 ,  D·萨达纳 ,  O·格卢斯秦克夫

IPC: H01L39/02 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12 ,  H01L39/22

Abstract: 根据本发明的实施例，一种量子机械器件包括单片晶体结构。单片晶体结构包括被掺杂以提供第一超导区域的第一区域，以及被掺杂以提供第二超导区域的第二区域，该第二超导区域通过未掺杂的晶体区域与该第一超导区域分隔。第一超导区域和第二超导区域以及未掺杂的晶体区域形成约瑟夫逊结。

公开(公告)号：CN111066154A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201880058867.9

申请日：2018-09-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·埃布里什 ,  O·格卢斯秦克夫

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种用于减少晶体管的串联电阻的方法，包括在半导体衬底上形成导电栅极并与半导体衬底绝缘；在衬底内形成源极和/或漏极延伸区域并与相应的源极和/或漏极区域相邻；以及在衬底内形成源极和/或漏极区域。源极和/或漏极延伸区由与第一掺杂剂和第二掺杂剂合金化的材料构成，第一掺杂剂被配置为增加形成源极和/或漏极延伸区的材料的晶格结构。

公开(公告)号：CN100468785C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200480033367.8

申请日：2004-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·B·多里斯 ,  M·P·别良斯基 ,  D·C·博伊德 ,  D·奇丹巴尔拉奥 ,  O·格卢斯秦克夫

IPC: H01L31/119 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/336 ,  H01L31/113

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造半导体器件结构的方法，包括：提供衬底(1)，在所述衬底(1)上提供电极(6)，在所述电极(6)中形成凹槽(12)，所述凹槽具有开口，在所述凹槽内设置小颗粒半导体材料(17)，覆盖所述开口以包含所述凹槽内的所述小颗粒半导体材料，以及接着退火所得结构。