公开(公告)号：CN100405534C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200510080761.3

申请日：2005-06-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·博伊德 ,  J·蔡 ,  K·K·钱 ,  P·M·穆尼 ,  K·里姆

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了用于MOSFET器件的半导体结构及其制造方法。以这样的方式制造半导体结构，从而使形成n-MOSFET的晶片区域中的层结构不同于形成p-MOSFET的晶片区域中的层结构。通过这样的步骤制造该结构，首先在含硅衬底的表面内通过如He的轻原子的离子注入形成一个损伤区域。然后在包括该损伤区域的含硅衬底上形成应变SiGe合金。然后进行退火步骤，以通过缺陷诱导应变弛豫使应变SiGe合金基本弛豫。接着，在弛豫SiGe合金上形成如应变Si的应变半导体覆层。

公开(公告)号：CN100468785C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200480033367.8

申请日：2004-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·B·多里斯 ,  M·P·别良斯基 ,  D·C·博伊德 ,  D·奇丹巴尔拉奥 ,  O·格卢斯秦克夫

IPC: H01L31/119 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/336 ,  H01L31/113

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造半导体器件结构的方法，包括：提供衬底(1)，在所述衬底(1)上提供电极(6)，在所述电极(6)中形成凹槽(12)，所述凹槽具有开口，在所述凹槽内设置小颗粒半导体材料(17)，覆盖所述开口以包含所述凹槽内的所述小颗粒半导体材料，以及接着退火所得结构。

公开(公告)号：CN1294648C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200310116306.5

申请日：2003-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·阿默斯 ,  K·巴马克 ,  D·C·博伊德 ,  C·小卡布拉 ,  M·龙 ,  T·S·卡纳斯基 ,  J·T·凯兹尔斯基

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了用来制备具有容易调节的多重阈值电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法。提供了一种双金属层(代表本发明的第一类方法)或者金属合金(代表本发明的第二类方法)的硅质化。同时也描述了由本方法提供的具有多重阈值电压的CMOS器件。

公开(公告)号：CN1879227A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033367.8

申请日：2004-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·B·多里斯 ,  M·P·别良斯基 ,  D·C·博伊德 ,  D·奇丹巴尔拉奥 ,  O·格卢斯秦克夫

IPC: H01L31/119 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/336 ,  H01L31/113

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造半导体器件结构的方法，包括：提供衬底(1)，在所述衬底(1)上提供电极(6)，在所述电极(6)中形成凹槽(12)，所述凹槽具有开口，在所述凹槽内设置小颗粒半导体材料(17)，覆盖所述开口以包含所述凹槽内的所述小颗粒半导体材料，以及接着退火所得结构。

公开(公告)号：CN1770391A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510080761.3

申请日：2005-06-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·博伊德 ,  J·蔡 ,  K·K·钱 ,  P·M·穆尼 ,  K·里姆

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7842 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明提供了用于MOSFET器件的半导体结构及其制造方法。以这样的方式制造半导体结构，从而使形成n－MOSFET的晶片区域中的层结构不同于形成p－MOSFET的晶片区域中的层结构。通过这样的步骤制造该结构，首先在含硅衬底的表面内通过如He的轻原子的离子注入形成一个损伤区域。然后在包括该损伤区域的含硅衬底上形成应变SiGe合金。然后进行退火步骤，以通过缺陷诱导应变弛豫使应变SiGe合金基本弛豫。接着，在弛豫SiGe合金上形成如应变Si的应变半导体覆层。

公开(公告)号：CN1503350A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310116306.5

申请日：2003-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·阿默斯 ,  K·巴马克 ,  D·C·博伊德 ,  C·小卡布拉 ,  M·龙 ,  T·S·卡纳斯基 ,  J·T·凯兹尔斯基

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供了用来制备具有容易调节的多重阈值电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法。提供了一种双金属层(代表本发明的第一类方法)或者金属合金(代表本发明的第二类方法)的硅质化。同时也描述了由本方法提供的具有多重阈值电压的CMOS器件。