公开(公告)号：CN100405534C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200510080761.3

申请日：2005-06-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·博伊德 ,  J·蔡 ,  K·K·钱 ,  P·M·穆尼 ,  K·里姆

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了用于MOSFET器件的半导体结构及其制造方法。以这样的方式制造半导体结构，从而使形成n-MOSFET的晶片区域中的层结构不同于形成p-MOSFET的晶片区域中的层结构。通过这样的步骤制造该结构，首先在含硅衬底的表面内通过如He的轻原子的离子注入形成一个损伤区域。然后在包括该损伤区域的含硅衬底上形成应变SiGe合金。然后进行退火步骤，以通过缺陷诱导应变弛豫使应变SiGe合金基本弛豫。接着，在弛豫SiGe合金上形成如应变Si的应变半导体覆层。

公开(公告)号：CN1770391A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510080761.3

申请日：2005-06-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·博伊德 ,  J·蔡 ,  K·K·钱 ,  P·M·穆尼 ,  K·里姆

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7842 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明提供了用于MOSFET器件的半导体结构及其制造方法。以这样的方式制造半导体结构，从而使形成n－MOSFET的晶片区域中的层结构不同于形成p－MOSFET的晶片区域中的层结构。通过这样的步骤制造该结构，首先在含硅衬底的表面内通过如He的轻原子的离子注入形成一个损伤区域。然后在包括该损伤区域的含硅衬底上形成应变SiGe合金。然后进行退火步骤，以通过缺陷诱导应变弛豫使应变SiGe合金基本弛豫。接着，在弛豫SiGe合金上形成如应变Si的应变半导体覆层。