公开(公告)号：CN1294648C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200310116306.5

申请日：2003-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·阿默斯 ,  K·巴马克 ,  D·C·博伊德 ,  C·小卡布拉 ,  M·龙 ,  T·S·卡纳斯基 ,  J·T·凯兹尔斯基

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了用来制备具有容易调节的多重阈值电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法。提供了一种双金属层(代表本发明的第一类方法)或者金属合金(代表本发明的第二类方法)的硅质化。同时也描述了由本方法提供的具有多重阈值电压的CMOS器件。

公开(公告)号：CN1503350A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310116306.5

申请日：2003-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·阿默斯 ,  K·巴马克 ,  D·C·博伊德 ,  C·小卡布拉 ,  M·龙 ,  T·S·卡纳斯基 ,  J·T·凯兹尔斯基

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供了用来制备具有容易调节的多重阈值电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法。提供了一种双金属层(代表本发明的第一类方法)或者金属合金(代表本发明的第二类方法)的硅质化。同时也描述了由本方法提供的具有多重阈值电压的CMOS器件。