公开(公告)号：CN105977142B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201610141028.6

申请日：2016-03-11

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 郑政玮 ,  金志焕 ,  J.A.奥特 ,  D.K.萨达纳

IPC分类号： H01L21/20

摘要： 一种形成外延结构的方法，包括：在晶体半导体材料上设置二维材料，并打开该二维材料的一部分以暴露该晶体半导体材料。在该晶体半导体材料于打开的部分中外延生长一结构，使得该外延生长相对于该二维材料对暴露的所述晶体半导体材料具有选择性。

公开(公告)号：CN105977142A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610141028.6

申请日：2016-03-11

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 郑政玮 ,  金志焕 ,  J.A.奥特 ,  D.K.萨达纳

IPC分类号： H01L21/20

摘要： 一种形成外延结构的方法，包括：在晶体半导体材料上设置二维材料，并打开该二维材料的一部分以暴露该晶体半导体材料。在该晶体半导体材料于打开的部分中外延生长一结构，使得该外延生长相对于该二维材料对暴露的所述晶体半导体材料具有选择性。