公开(公告)号：CN102741980B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201180008430.2

申请日：2011-02-01

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·贝德尔 ,  金志焕 ,  D·因斯 ,  D·萨达纳 ,  K·弗吉尔 ,  J·维奇康蒂

IPC分类号： H01L21/18

CPC分类号： H01L21/187

摘要： 一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的方法，包括：在体硅衬底上形成掺杂硼的SiGe层；在掺杂硼的SiGe层之上形成上硅(Si)层；氢化掺杂硼的SiGe层；将上Si层键合至备选衬底；并且在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面传播裂痕。一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的系统包括：体硅衬底；掺杂硼的SiGe层，形成于体硅衬底上，从而掺杂硼的SiGe层位于上硅(Si)层下面，其中掺杂硼的SiGe层被配置成在掺杂硼的SiGe层的氢化之后在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面处传播裂痕；以及备选衬底，键合到上Si层。

公开(公告)号：CN102741980A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180008430.2

申请日：2011-02-01

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·贝德尔 ,  金志焕 ,  D·因斯 ,  D·萨达纳 ,  K·弗吉尔 ,  J·维奇康蒂

IPC分类号： H01L21/18

CPC分类号： H01L21/187

摘要： 一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的方法，包括：在体硅衬底上形成掺杂硼的SiGe层；在掺杂硼的SiGe层之上形成上硅(Si)层；氢化掺杂硼的SiGe层；将上Si层键合至备选衬底；并且在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面传播裂痕。一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的系统包括：体硅衬底；掺杂硼的SiGe层，形成于体硅衬底上，从而掺杂硼的SiGe层位于上硅(Si)层下面，其中掺杂硼的SiGe层被配置成在掺杂硼的SiGe层的氢化之后在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面处传播裂痕；以及备选衬底，键合到上Si层。