公开(公告)号：CN104103567A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410122665.X

申请日：2014-03-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  C·D·迪米特罗普洛斯 ,  K·E·福格尔 ,  J·B·汗农 ,  金志焕 ,  朴弘植 ,  D·法伊弗 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L21/683

CPC classification number: C01B31/0446 ,  C01B32/184 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/1606 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1153

Abstract: 本发明涉及晶片尺度外延石墨烯转移。一种用于二维材料的转移的方法包括：在衬底上形成二维材料的扩展层，扩展层具有单层。在扩展层上形成应力源层，以及应力源层被配置为向扩展层的最近单层施加应力。通过机械分裂扩展层剥落最近单层，其中最近单层保留在应力源层上。

公开(公告)号：CN104103567B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201410122665.X

申请日：2014-03-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  C·D·迪米特罗普洛斯 ,  K·E·福格尔 ,  J·B·汗农 ,  金志焕 ,  朴弘植 ,  D·法伊弗 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L21/683

CPC classification number: C01B31/0446 ,  C01B32/184 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/1606 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1153

Abstract: 本发明涉及晶片尺度外延石墨烯转移。一种用于二维材料的转移的方法包括：在衬底上形成二维材料的扩展层，扩展层具有单层。在扩展层上形成应力源层，以及应力源层被配置为向扩展层的最近单层施加应力。通过机械分裂扩展层剥落最近单层，其中最近单层保留在应力源层上。

公开(公告)号：CN103682152A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310439839.0

申请日：2013-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈自强 ,  J·B·汗农 ,  李宁 ,  种田智 ,  D·K·萨达那 ,  G·S·图勒夫斯基

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01L51/5088 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/55

Abstract: 本发明涉及透明导电电极及其形成方法、有机发光二极管（OLED）器件及其形成方法。使用石墨烯代替铟锡氧化物作为能够在有机发光二极管（OLED）器件中使用的透明导电电极。使用石墨烯降低了制造OLED器件的成本并且也使得OLED器件极柔韧。所述石墨烯是化学掺杂的，使得石墨烯的功函数被偏移到更高值，以与包含未掺杂的石墨烯层的OLED器件相比，空穴更好地注入到OLED器件中。包含导电聚合物和/或金属氧化物的界面层也可用于进一步降低剩余注入势垒。