公开(公告)号：CN102576724B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080042505.4

申请日：2010-08-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： F.R.麦克菲力 ,  J.J.尤卡斯 ,  种田智 ,  J.B.汉农

IPC: H01L29/16

CPC classification number: H01L29/16

Abstract: 一种将具有形成在碳化硅层上的一个或更多石墨烯层的结构电性活化的方法，包括：对所述结构执行氧化工艺，以形成所述碳化硅层和所述一个或更多石墨烯层的最底层之间设置的氧化硅层，从而电性活化最底层的石墨烯层。

公开(公告)号：CN103682152A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310439839.0

申请日：2013-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈自强 ,  J·B·汗农 ,  李宁 ,  种田智 ,  D·K·萨达那 ,  G·S·图勒夫斯基

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01L51/5088 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/55

Abstract: 本发明涉及透明导电电极及其形成方法、有机发光二极管（OLED）器件及其形成方法。使用石墨烯代替铟锡氧化物作为能够在有机发光二极管（OLED）器件中使用的透明导电电极。使用石墨烯降低了制造OLED器件的成本并且也使得OLED器件极柔韧。所述石墨烯是化学掺杂的，使得石墨烯的功函数被偏移到更高值，以与包含未掺杂的石墨烯层的OLED器件相比，空穴更好地注入到OLED器件中。包含导电聚合物和/或金属氧化物的界面层也可用于进一步降低剩余注入势垒。

公开(公告)号：CN102576724A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080042505.4

申请日：2010-08-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： F.R.麦克菲力 ,  J.J.尤卡斯 ,  种田智 ,  J.B.汉农

IPC: H01L29/16

CPC classification number: H01L29/16

Abstract: 一种将具有形成在碳化硅层上的一个或更多石墨烯层的结构电性活化的方法，包括：对所述结构执行氧化工艺，以形成所述碳化硅层和所述一个或更多石墨烯层的最底层之间设置的氧化硅层，从而电性活化最底层的石墨烯层。