公开(公告)号：CN106575674A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480081346.7

申请日：2014-10-14

Applicant: 庆熙大学校产学协力团

Inventor： 崔石镐 ,  申东熙 ,  金成

IPC: H01L29/88 ,  C01B32/182

Abstract: 提供一种通过硅量子点的大小和控制石墨烯的掺杂浓度，提高二极管性能及电性特性的包括石墨烯硅量子点混合结构的隧穿二极管。本发明的理想遂穿二极管，可活用在二极管基础的光电子元件。

公开(公告)号：CN104956496B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201380068374.0

申请日：2013-06-27

Applicant: 庆熙大学校产学协力团

Inventor： 崔石镐 ,  金成 ,  金昌伍

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0745 ,  Y02E10/547

Abstract: 由于根据掺杂量来评价制造的石墨烯p‑n垂直接合的光检测特性，因此提供包含石墨烯p‑n均质接合二极管的光检测元件。所述光检测元件包括：基板；光检测层，其作为形成在所述基板上的光检测层，包括p‑n垂直均质接合的石墨烯，具有在350nm至1100nm范围内超过10E11(Jones)的检测能；和形成在所述光检测层上的第一电极和第二电极。

公开(公告)号：CN106575685B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201480081292.4

申请日：2014-11-20

Applicant: 庆熙大学校产学协力团

Inventor： 崔石镐 ,  申东熙 ,  金成

IPC: H01L31/10 ,  C01B32/186

CPC classification number: H01L31/1804 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0453 ,  C01B31/0484 ,  C01B32/182 ,  C01B32/186 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/09 ,  H01L31/10 ,  H01L31/109 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/948

Abstract: 提供了一种通过控制硅量子点大小和石墨烯掺杂浓度，提高光学特性及电性特性的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管。本发明的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管制作方便，可大面积制作，且从紫外线领域到近紫外线领域的光检测带宽广，选择性地可调整吸收能量。

公开(公告)号：CN106575674B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201480081346.7

申请日：2014-10-14

Applicant: 庆熙大学校产学协力团

Inventor： 崔石镐 ,  申东熙 ,  金成

IPC: H01L29/88 ,  C01B32/182

Abstract: 提供一种通过硅量子点的大小和控制石墨烯的掺杂浓度，提高二极管性能及电性特性的包括石墨烯硅量子点混合结构的隧穿二极管。本发明的理想隧穿二极管，可活用在二极管基础的光电子元件。

公开(公告)号：CN106575685A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480081292.4

申请日：2014-11-20

Applicant: 庆熙大学校产学协力团

Inventor： 崔石镐 ,  申东熙 ,  金成

IPC: H01L31/10 ,  C01B32/186

CPC classification number: H01L31/1804 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0453 ,  C01B31/0484 ,  C01B32/182 ,  C01B32/186 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/09 ,  H01L31/10 ,  H01L31/109 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/948

Abstract: 提供了一种通过控制硅量子点大小和石墨烯掺杂浓度，提高光学特性及电性特性的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管。本发明的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管制作方便，可大面积制作，且从紫外线领域到近紫外线领域的光检测带宽广，选择性地可调整吸收能量。

公开(公告)号：CN104956496A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380068374.0

申请日：2013-06-27

Applicant: 庆熙大学校产学协力团

Inventor： 崔石镐 ,  金成 ,  金昌伍

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0745 ,  Y02E10/547

Abstract: 由于根据掺杂量来评价制造的石墨烯p-n垂直接合的光检测特性，因此提供包含石墨烯p-n均质接合二极管的光检测元件。所述光检测元件包括：基板；光检测层，其作为形成在所述基板上的光检测层，包括p-n垂直均质接合的石墨烯，具有在350nm至1100nm范围内超过10E11(Jones)的检测能；和形成在所述光检测层上的第一电极和第二电极。