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公开(公告)号：CN111769179A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010597236.3
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/062 , H01L31/0745
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN105210196B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201380066561.5
申请日：2013-06-18
申请人： 太阳能公司
发明人： 保罗·卢斯科托福 , 彼得·J·卡曾斯 , 史蒂文·爱德华·莫里萨 , 安·瓦尔德豪尔
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068
摘要： 本发明描述了使用N型掺杂硅纳米粒子制造太阳能电池的发射极区域的方法和所得的太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池的发射极区域的方法包括在所述太阳能电池的基板的第一表面上形成多个N型掺杂硅纳米粒子区域。在所述多个N型掺杂硅纳米粒子区域上以及在所述基板的所述第一表面上的所述N型掺杂硅纳米粒子区域之间形成含P型掺杂剂层。所述含P型掺杂剂层的至少一部分与所述多个N型掺杂硅纳米粒子区域中的每个的至少一部分混合。
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公开(公告)号：CN106847937A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610834756.5
申请日：2011-04-27
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/0216 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本文描述了制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法，以及具有隧道电介质层的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103370801A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201180067365.0
申请日：2011-09-20
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜，从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区，以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
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公开(公告)号：CN108777263B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201810745035.6
申请日：2011-09-20
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜，从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区，以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
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公开(公告)号：CN108777263A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810745035.6
申请日：2011-09-20
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜，从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区，以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
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公开(公告)号：CN105453275B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201380070919.1
申请日：2013-06-18
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/182 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H01L31/03682 , H01L31/03845 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/939 , Y10S977/948
摘要： 本发明描述了使用硅纳米粒子制造太阳能电池发射极区域的方法和所得的太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池发射极区域的方法包括在设置于所述太阳能电池的基板表面上方的介电层上方形成掺杂硅纳米粒子区域。在所述掺杂硅纳米粒子区域上形成硅层。将所述硅层的至少一部分与所述掺杂硅纳米粒子区域的至少一部分混合，以形成设置于所述介电层上的掺杂多晶硅层。
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公开(公告)号：CN102959738B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180032856.1
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/062 , H01L31/0745 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/0376 , H01L31/062 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN105895737A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610220531.0
申请日：2011-09-20
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜，从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区，以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
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公开(公告)号：CN103370801B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180067365.0
申请日：2011-09-20
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜，从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区，以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
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