-
公开(公告)号：CN106847937A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610834756.5
申请日：2011-04-27
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/0216 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本文描述了制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法，以及具有隧道电介质层的太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN109417101B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201780033222.5
申请日：2017-03-31
申请人： 太阳能公司
发明人： 戴维·D·史密斯 , 蒂莫西·韦德曼 , 斯科特·哈林顿 , 文卡塔苏布拉马尼·巴鲁
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/0745
摘要： 本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，背接触太阳能电池可以包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，该第一薄介电层设置在所述基板的背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，第二薄介电层设置在基板的背表面上。第三薄介电层设置在第一多晶硅发射极区的暴露的外部部分上，并且直接侧向设置在第一多晶硅发射极区和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在第二多晶硅发射极区上。本发明还描述了金属化方法，其包括用于形成第一导电触点结构和第二导电触点结构的蚀刻技术。
-
公开(公告)号：CN105874611A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480012403.6
申请日：2014-03-12
申请人： 太阳能公司
发明人： 吉娜维芙·A·所罗门 , 斯科特·哈林顿 , 坎恩·伍 , 保罗·卢斯科托福 , 邬俊波 , 史蒂文·爱德华·莫里萨
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/304
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种制造太阳能电池的方法。所述方法包括在硅基板上形成抛光表面以及在所述抛光表面上以交叉图案形成第一可流动基体，其中所述抛光表面允许所述第一可流动基体形成包含厚度和宽度均匀的特征部的交叉图案。在一个实施例中，所述方法包括使用诸如但不限于金刚石线或浆料切片工艺的方法来形成所述硅基板。在另一个实施例中，所述方法包括使用诸如但不限于硫酸(H2SO4)、乙酸(CH3COOH)、硝酸(HNO3)、氢氟酸(HF)或磷酸(H3PO4)的化学蚀刻剂在所述硅基板上形成所述抛光表面。在再一个实施例中，所述蚀刻剂是各向同性蚀刻剂。在又一个实施例中，所述方法包括提供具有至多500纳米峰到谷粗糙度的硅基板表面。
-
公开(公告)号：CN104205354A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280071739.0
申请日：2012-12-17
申请人： 太阳能公司
发明人： 斯科特·哈林顿
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1876 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了制造太阳能电池的方法以及用于制造太阳能电池的装置。在一个实例中，一种制造太阳能电池的方法包括用气态臭氧(O3)工艺处理基板的光接收表面。随后，将所述基板的光接收表面纹理化。
-
公开(公告)号：CN110021681B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201811638256.X
申请日：2018-12-29
申请人： 太阳能公司 , 道达尔太阳能国际公司
发明人： 斯科特·哈林顿 , 阿玛达·蒙泰斯迪奥卡·山塔那 , 文卡塔苏布拉马尼·巴鲁
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及太阳能电池表面的化学抛光及所得的结构。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括利用第一基于氢氧化物的蚀刻工艺对硅基板的第一侧表面和第二侧表面均进行纹理化。所述方法还包括利用第二基于氢氧化物的蚀刻工艺减小所述硅基板的所述纹理化的第二侧表面的表面粗糙度因子。所述方法还包括在减小所述硅基板的所述纹理化的第二侧表面的所述表面粗糙度因子之后，在所述硅基板的所述第二侧表面上形成发射极区。
-
公开(公告)号：CN106170870A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201580006163.3
申请日：2015-03-24
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0256
摘要： 本文描述了太阳能电池的金属化方法以及所得的太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池的方法涉及在基板中或基板上方形成多个交替的N型区和P型区。该方法还涉及在多个交替的N型区和P型区上形成金属晶种层。该方法还涉及在与交替的N型区和P型区之间的位置对准的区域处对金属晶种层的至少一部分进行图案化。所述方法还涉及在所述图案化之后，在所述交替的N型区和P型区之间的所述位置处进行蚀刻以形成沟槽，从而将所述交替的N型区和P型区彼此隔离。
-
公开(公告)号：CN110021681A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811638256.X
申请日：2018-12-29
申请人： 太阳能公司 , 道达尔太阳能国际公司
发明人： 斯科特·哈林顿 , 阿玛达·蒙泰斯迪奥卡·山塔那 , 文卡塔苏布拉马尼·巴鲁
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及太阳能电池表面的化学抛光及所得的结构。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括利用第一基于氢氧化物的蚀刻工艺对硅基板的第一侧表面和第二侧表面均进行纹理化。所述方法还包括利用第二基于氢氧化物的蚀刻工艺减小所述硅基板的所述纹理化的第二侧表面的表面粗糙度因子。所述方法还包括在减小所述硅基板的所述纹理化的第二侧表面的所述表面粗糙度因子之后，在所述硅基板的所述第二侧表面上形成发射极区。
-
公开(公告)号：CN109417101A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780033222.5
申请日：2017-03-31
申请人： 太阳能公司
发明人： 戴维·D·史密斯 , 蒂莫西·韦德曼 , 斯科特·哈林顿 , 文卡塔苏布拉马尼·巴鲁
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/0745
摘要： 本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，背接触太阳能电池可以包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，该第一薄介电层设置在所述基板的背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，第二薄介电层设置在基板的背表面上。第三薄介电层设置在第一多晶硅发射极区的暴露的外部部分上，并且直接侧向设置在第一多晶硅发射极区和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在第二多晶硅发射极区上。本发明还描述了金属化方法，其包括用于形成第一导电触点结构和第二导电触点结构的蚀刻技术。
-
公开(公告)号：CN106170870B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201580006163.3
申请日：2015-03-24
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0256
摘要： 本文描述了太阳能电池的金属化方法以及所得的太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池的方法涉及在基板中或基板上方形成多个交替的N型区和P型区。该方法还涉及在多个交替的N型区和P型区上形成金属晶种层。该方法还涉及在与交替的N型区和P型区之间的位置对准的区域处对金属晶种层的至少一部分进行图案化。所述方法还涉及在所述图案化之后，在所述交替的N型区和P型区之间的所述位置处进行蚀刻以形成沟槽，从而将所述交替的N型区和P型区彼此隔离。
-
公开(公告)号：CN107078183B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201580046434.8
申请日：2015-09-23
申请人： 太阳能公司
发明人： 斯科特·哈林顿 , 文卡塔苏布拉马尼·巴鲁 , 斯塔凡·韦斯特贝格 , 彼得·约翰·卡曾斯
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种制造太阳能电池的方法，所述方法可包括在硅基板上方形成第一掺杂剂区，以及在所述第一掺杂剂区上方形成氧化物区。在一个实施例中，所述氧化物区可保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺。在一个实施例中，可在所述硅基板上方形成第二掺杂剂区，其中可形成掩模以保护所述第二掺杂剂区的第一部分免于经历所述第一蚀刻工艺。在一个实施例中，可执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板和/或硅区的多个部分。可执行第二蚀刻工艺来形成沟槽区，以将所述太阳能电池的第一掺杂区和第二掺杂区隔离开。可执行第三蚀刻工艺以从所述太阳能电池移除污染物，以及移除所述氧化物区的任何剩余部分。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.02 秒)
