具有防止补偿掺杂的太阳能电池的制造

    公开(公告)号:CN102959715B

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201180032257.X

    申请日:2011-04-22

    CPC classification number: H01L31/1804 H01L31/0745 Y02E10/547 Y02P70/521

    Abstract: 一种太阳能电池制造工艺,包括在太阳能电池衬底的背面上的多晶硅层(104)上印刷掺杂物源(105、106)。对掺杂物源(105、106)进行固化,以将来自掺杂物源(105、106)的掺杂物扩散至多晶硅层(104)中,从而形成扩散区(107、108),并对掺杂物源(105、106)进行交联,以使它们对后面执行的纹理化工艺具有抵抗性。为了防止补偿掺杂,阻止来自掺杂物源(105、106)之一的掺杂物释放气体并扩散到其它掺杂物源中。例如,来自N型掺杂物源(106)的磷被阻止扩散到包括硼的P型掺杂物源(105)中。

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