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公开(公告)号：CN106463555A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580009987.6
申请日：2015-03-24
Applicant: 太阳能公司
IPC: H01L31/047 , H01L31/0475 , H01L31/046
CPC classification number: H01L31/0516 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/047 , H01L31/0475 , H01L31/048 , H01L31/0504 , H01L31/0682 , H01L31/186 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明描述了具有通过金属化结构耦接的多个子电池的太阳能电池，以及形成具有通过金属化结构耦接的多个子电池的太阳能电池的分割方法。在一个例子中，所述太阳能电池包括多个子电池，所述子电池中的每一者具有已分割的物理上分离的半导体基板部分。已分割的物理上分离的半导体基板部分的相邻者之间具有沟槽。太阳能电池还包括单片金属化结构。单片金属化结构的一部分耦接多个子电池中的子电池。已分割的物理上分离的半导体基板部分的相邻者之间的沟槽暴露单片金属化结构的一部分。
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公开(公告)号：CN105453275A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201380070919.1
申请日：2013-06-18
Applicant: 太阳能公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/036 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/182 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H01L31/03682 , H01L31/03845 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/939 , Y10S977/948
Abstract: 本发明描述了使用硅纳米粒子制造太阳能电池发射极区域的方法和所得的太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池发射极区域的方法包括在设置于所述太阳能电池的基板表面上方的介电层上方形成掺杂硅纳米粒子区域。在所述掺杂硅纳米粒子区域上形成硅层。将所述硅层的至少一部分与所述掺杂硅纳米粒子区域的至少一部分混合，以形成设置于所述介电层上的掺杂多晶硅层。
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公开(公告)号：CN108470115A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810481335.8
申请日：2015-03-24
CPC classification number: H01L31/02245 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0475 , H01L31/0512 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明描述了太阳能电池的箔基金属化的方法以及所得太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括基板。多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域设置在基板中或基板上方。在所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方设置有导电触点结构。该导电触点结构包括多个金属晶种材料区域，使得所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域中的每个区域上均设置有金属晶种材料区域。在所述多个金属晶种材料区域上设置有金属箔，该金属箔具有阳极化部分，所述阳极化部分隔离所述金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的金属区域。
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公开(公告)号：CN106471627A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580007964.1
申请日：2015-03-24
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/05 , H01L31/0745
CPC classification number: H01L31/02245 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0475 , H01L31/0512 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明描述了太阳能电池的箔基金属化的方法以及所得太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括基板。多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域设置在基板中或基板上方。在所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方设置有导电触点结构。该导电触点结构包括多个金属晶种材料区域，使得所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域中的每个区域上均设置有金属晶种材料区域。在所述多个金属晶种材料区域上设置有金属箔，该金属箔具有阳极化部分，所述阳极化部分隔离所述金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的金属区域。
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公开(公告)号：CN103460354A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016419.5
申请日：2012-03-19
Applicant: 太阳能公司
Inventor： 林承笵 , 迈克尔·莫尔斯 , 金泰锡 , 迈克尔·J·卡德兹诺维克
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L31/0264 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02494 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L31/02363 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/182 , H01L31/1896 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制造太阳能电池的方法。所述方法包括如下步骤：在硅基底(100)上形成牺牲层(112)、在牺牲基底的顶上形成掺杂硅层(120)、在掺杂硅层(120)的顶上形成硅膜(130)、在硅膜(130)上形成多个叉指触点(144、146)、使多个叉指触点(144、146)中的每一个与金属触点(150)接触，以及去除牺牲层(112)。
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公开(公告)号：CN108470115B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201810481335.8
申请日：2015-03-24
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/05 , H01L31/068 , H01L31/18 , G06Q10/101 , G06Q10/10
Abstract: 本发明描述了太阳能电池的箔基金属化的方法以及所得太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括基板。多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域设置在基板中或基板上方。在所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方设置有导电触点结构。该导电触点结构包括多个金属晶种材料区域，使得所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域中的每个区域上均设置有金属晶种材料区域。在所述多个金属晶种材料区域上设置有金属箔，该金属箔具有阳极化部分，所述阳极化部分隔离所述金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的金属区域。
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公开(公告)号：CN109103276A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810884449.7
申请日：2015-03-24
Applicant: 太阳能公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/047 , H01L31/0475 , H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/068
Abstract: 本发明描述了具有通过金属化结构耦接的多个子电池的太阳能电池，以及形成具有通过金属化结构耦接的多个子电池的太阳能电池的分割方法。在一个例子中，所述太阳能电池包括多个子电池，所述子电池中的每一者具有已分割的物理上分离的半导体基板部分。已分割的物理上分离的半导体基板部分的相邻者之间具有沟槽。太阳能电池还包括单片金属化结构。单片金属化结构的一部分耦接多个子电池中的子电池。已分割的物理上分离的半导体基板部分的相邻者之间的沟槽暴露单片金属化结构的一部分。
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公开(公告)号：CN105453275B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201380070919.1
申请日：2013-06-18
Applicant: 太阳能公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/182 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H01L31/03682 , H01L31/03845 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/939 , Y10S977/948
Abstract: 本发明描述了使用硅纳米粒子制造太阳能电池发射极区域的方法和所得的太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池发射极区域的方法包括在设置于所述太阳能电池的基板表面上方的介电层上方形成掺杂硅纳米粒子区域。在所述掺杂硅纳米粒子区域上形成硅层。将所述硅层的至少一部分与所述掺杂硅纳米粒子区域的至少一部分混合，以形成设置于所述介电层上的掺杂多晶硅层。
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公开(公告)号：CN106463555B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201580009987.6
申请日：2015-03-24
Applicant: 太阳能公司
IPC: H01L31/047 , H01L31/0475 , H01L31/046
CPC classification number: H01L31/0516 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/047 , H01L31/0475 , H01L31/048 , H01L31/0504 , H01L31/0682 , H01L31/186 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明描述了具有通过金属化结构耦接的多个子电池的太阳能电池，以及形成具有通过金属化结构耦接的多个子电池的太阳能电池的分割方法。在一个例子中，所述太阳能电池包括多个子电池，所述子电池中的每一者具有已分割的物理上分离的半导体基板部分。已分割的物理上分离的半导体基板部分的相邻者之间具有沟槽。太阳能电池还包括单片金属化结构。单片金属化结构的一部分耦接多个子电池中的子电池。已分割的物理上分离的半导体基板部分的相邻者之间的沟槽暴露单片金属化结构的一部分。
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公开(公告)号：CN106471627B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201580007964.1
申请日：2015-03-24
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/05 , H01L31/0745 , H01L31/0475 , H01L31/028
CPC classification number: H01L31/02245 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0475 , H01L31/0512 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明描述了太阳能电池的箔基金属化的方法以及所得太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括基板。多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域设置在基板中或基板上方。在所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方设置有导电触点结构。该导电触点结构包括多个金属晶种材料区域，使得所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域中的每个区域上均设置有金属晶种材料区域。在所述多个金属晶种材料区域上设置有金属箔，该金属箔具有阳极化部分，所述阳极化部分隔离所述金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的金属区域。
