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公开(公告)号：CN111769179A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010597236.3
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/062 , H01L31/0745
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN105895737A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610220531.0
申请日：2011-09-20
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜，从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区，以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
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公开(公告)号：CN103370801B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180067365.0
申请日：2011-09-20
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜，从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区，以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
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公开(公告)号：CN102959738A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032856.1
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/06 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/0376 , H01L31/062 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN113224181A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110491530.0
申请日：2015-12-21
申请人： 太阳能公司
发明人： 戴维·D·史密斯 , 蒂姆·丹尼斯 , 拉塞尔·德耶稣·塔巴琼达
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种制造太阳能电池的方法，该方法可包括在硅基板上形成电介质区。该方法还可包括在电介质区上方形成发射极区以及在硅基板的表面上形成掺杂物区。在实施方案中，该方法可包括在高于900摄氏度的温度下加热硅基板，以将杂质吸至发射极区并将掺杂物从掺杂物区驱动到硅基板的一部分。
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公开(公告)号：CN106847937A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610834756.5
申请日：2011-04-27
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/0216 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本文描述了制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法，以及具有隧道电介质层的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN104396024A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201280071731.4
申请日：2012-12-19
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/022425 , H01L31/074
摘要： 本发明描述了具有由宽带隙半导体材料构成的发射极区域的太阳能电池。在一个实例中，一种方法包括在具有受控气氛的处理设备中，在所述太阳能电池的半导体基板的表面上形成薄电介质层。所述半导体基板具有带隙。在不将所述半导体基板从所述处理设备的受控气氛中移除的情况下，在所述薄电介质层上形成半导体层。所述半导体层具有比所述半导体基板的带隙高至少约0.2电子伏特(eV)的带隙。
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公开(公告)号：CN103370801A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201180067365.0
申请日：2011-09-20
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜，从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区，以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
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公开(公告)号：CN105895737B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610220531.0
申请日：2011-09-20
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔,以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜,从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区,以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
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公开(公告)号：CN102959731B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201180032583.0
申请日：2011-04-27
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/0216 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本文描述了制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法，以及具有隧道电介质层的太阳能电池。
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