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公开(公告)号：CN106847937A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610834756.5
申请日：2011-04-27
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/0216 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本文描述了制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法，以及具有隧道电介质层的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN102959738A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032856.1
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/06 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/0376 , H01L31/062 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN102959738B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180032856.1
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/062 , H01L31/0745 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/0376 , H01L31/062 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN105355678A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510824544.4
申请日：2011-10-03
申请人： 太阳能公司
发明人： 简·曼宁
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明描述了形成背接触太阳能电池触点的方法。在一个实施例中，方法包括在基板上形成薄介电层，在所述薄介电层上形成多晶硅层，在所述多晶硅层上形成并图案化固态p型掺杂剂源，在所述多晶硅层的暴露区域上以及多个固态p型掺杂剂源区域上形成n型掺杂剂源层，以及加热所述基板以在多个p型掺杂的多晶硅区域中提供多个n型掺杂的多晶硅区域。
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公开(公告)号：CN105355678B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201510824544.4
申请日：2011-10-03
申请人： 太阳能公司
发明人： 简·曼宁
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明描述了形成背接触太阳能电池触点的方法。在一个实施例中，方法包括在基板上形成薄介电层，在所述薄介电层上形成多晶硅层，在所述多晶硅层上形成并图案化固态p型掺杂剂源，在所述多晶硅层的暴露区域上以及多个固态p型掺杂剂源区域上形成n型掺杂剂源层，以及加热所述基板以在多个p型掺杂的多晶硅区域中提供多个n型掺杂的多晶硅区域。
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公开(公告)号：CN111769179A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010597236.3
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/062 , H01L31/0745
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN102959730A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032320.X
申请日：2011-10-03
申请人： 太阳能公司
发明人： 简·曼宁
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L21/225 , H01L21/2255 , H01L21/2256 , H01L31/022441 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , Y02E10/52 , Y02E10/547
摘要： 本发明描述了形成背接触太阳能电池触点的方法。在一个实施例中，方法包括在基板上形成薄介电层，在所述薄介电层上形成多晶硅层，在所述多晶硅层上形成并图案化固态p型掺杂剂源，在所述多晶硅层的暴露区域上以及多个固态p型掺杂剂源区域上形成n型掺杂剂源层，以及加热所述基板以在多个p型掺杂的多晶硅区域中提供多个n型掺杂的多晶硅区域。
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公开(公告)号：CN102959731B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201180032583.0
申请日：2011-04-27
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/0216 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本文描述了制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法，以及具有隧道电介质层的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN105789375A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610127549.6
申请日：2011-07-20
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·史密斯 , 刘海宁 , 蒂姆·丹尼斯 , 简·曼宁 , 阮信晓 , 安·瓦尔德豪尔 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 布伦达·帕古拉彦·马尔加普 , 约瑟夫·拉米雷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/062 , H01L31/0745
摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN102959730B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180032320.X
申请日：2011-10-03
申请人： 太阳能公司
发明人： 简·曼宁
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L21/225 , H01L21/2255 , H01L21/2256 , H01L31/022441 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , Y02E10/52 , Y02E10/547
摘要： 本发明描述了形成背接触太阳能电池触点的方法。在一个实施例中，方法包括在基板上形成薄介电层，在所述薄介电层上形成多晶硅层，在所述多晶硅层上形成并图案化固态p型掺杂剂源，在所述多晶硅层的暴露区域上以及多个固态p型掺杂剂源区域上形成n型掺杂剂源层，以及加热所述基板以在多个p型掺杂的多晶硅区域中提供多个n型掺杂的多晶硅区域。
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