-
公开(公告)号：CN105051913B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201280073812.8
申请日：2012-12-19
CPC分类号： H02S50/10 , H01L31/186 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明介绍了对太阳能电池进行高反向电流预烧的方法和具有预烧出的旁路二极管的太阳能电池。在一个实施例中，对具有隧道氧化层的太阳能电池的高反向电流预烧引起太阳能电池中的低击穿电压。在高电流下热炼太阳能电池还可以降低电池缺陷区域和非缺陷区域的电压差异。
-
公开(公告)号：CN105830226A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480068756.8
申请日：2014-12-18
发明人： 理查德·汉密尔顿·休厄尔 , 戴维·阿龙·伦道夫·巴尔克豪泽 , 邬俊波 , 迈克尔·卡德兹诺维克 , 保罗·卢斯科托福 , 约瑟夫·本克 , 米歇尔·阿尔塞纳·奥利维尔·恩加姆·托科
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02008 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。在例子中，制造太阳能电池的方法涉及在设置于衬底中或衬底上方的半导体区域上形成阻挡层。所述半导体区域包括单晶硅或多晶硅。所述方法还涉及在所述阻挡层上形成导电糊剂层。所述方法还涉及由所述导电糊剂层形成导电层。所述方法还涉及形成所述太阳能电池的所述半导体区域的接触结构，所述接触结构至少包括所述导电层。
-
公开(公告)号：CN105122462A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201380067004.5
申请日：2013-11-27
申请人： 太阳能公司
发明人： 邬俊波 , 迈克尔·C·约翰逊 , 迈克尔·卡德兹诺维克 , 约瑟夫·本克 , 朱希 , 戴维·D·史密斯 , 理查德·汉密尔顿·休厄尔 , 涂修文 , 林承笵
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02E10/547
摘要： 本发明描述了用于太阳能电池导电触点的粘附力增强的晶种层和形成太阳能电池导电触点的方法。例如，制造太阳能电池的方法包括在基板的发射极区上方形成粘附层。在所述粘附层上形成金属晶种糊剂层。对所述金属晶种糊剂层和所述粘附层进行退火以形成与所述基板的发射极区接触的导电层。由所述导电层形成所述太阳能电池的导电触点。
-
公开(公告)号：CN105830226B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201480068756.8
申请日：2014-12-18
发明人： 理查德·汉密尔顿·休厄尔 , 戴维·阿龙·伦道夫·巴尔克豪泽 , 邬俊波 , 迈克尔·卡德兹诺维克 , 保罗·卢斯科托福 , 约瑟夫·本克 , 米歇尔·阿尔塞纳·奥利维尔·恩加姆·托科
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02008 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。在例子中，制造太阳能电池的方法涉及在设置于衬底中或衬底上方的半导体区域上形成阻挡层。所述半导体区域包括单晶硅或多晶硅。所述方法还涉及在所述阻挡层上形成导电糊剂层。所述方法还涉及由所述导电糊剂层形成导电层。所述方法还涉及形成所述太阳能电池的所述半导体区域的接触结构，所述接触结构至少包括所述导电层。
-
公开(公告)号：CN105874611A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480012403.6
申请日：2014-03-12
申请人： 太阳能公司
发明人： 吉娜维芙·A·所罗门 , 斯科特·哈林顿 , 坎恩·伍 , 保罗·卢斯科托福 , 邬俊波 , 史蒂文·爱德华·莫里萨
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/304
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种制造太阳能电池的方法。所述方法包括在硅基板上形成抛光表面以及在所述抛光表面上以交叉图案形成第一可流动基体，其中所述抛光表面允许所述第一可流动基体形成包含厚度和宽度均匀的特征部的交叉图案。在一个实施例中，所述方法包括使用诸如但不限于金刚石线或浆料切片工艺的方法来形成所述硅基板。在另一个实施例中，所述方法包括使用诸如但不限于硫酸(H2SO4)、乙酸(CH3COOH)、硝酸(HNO3)、氢氟酸(HF)或磷酸(H3PO4)的化学蚀刻剂在所述硅基板上形成所述抛光表面。在再一个实施例中，所述蚀刻剂是各向同性蚀刻剂。在又一个实施例中，所述方法包括提供具有至多500纳米峰到谷粗糙度的硅基板表面。
-
公开(公告)号：CN105122462B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201380067004.5
申请日：2013-11-27
申请人： 太阳能公司
发明人： 邬俊波 , 迈克尔·C·约翰逊 , 迈克尔·卡德兹诺维克 , 约瑟夫·本克 , 朱希 , 戴维·D·史密斯 , 理查德·汉密尔顿·休厄尔 , 涂修文 , 林承笵
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02E10/547
摘要： 本发明描述了用于太阳能电池导电触点的粘附力增强的晶种层和形成太阳能电池导电触点的方法。例如，制造太阳能电池的方法包括在基板的发射极区上方形成粘附层。在所述粘附层上形成金属晶种糊剂层。对所述金属晶种糊剂层和所述粘附层进行退火以形成与所述基板的发射极区接触的导电层。由所述导电层形成所述太阳能电池的导电触点。
-
公开(公告)号：CN107408916A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580049920.5
申请日：2015-09-15
申请人： 太阳能公司
发明人： 邬俊波 , 凯丝·约翰斯顿 , 陈贞安 , 扎卡里·S·朱迪金斯
CPC分类号： H02S20/32 , H01L31/02021 , H02S20/10 , H02S40/22 , H02S40/34 , Y02E10/52 , G05F1/67 , H02S40/32
摘要： 本发明公开了一种光伏(PV)系统。该光伏系统可包括第一跟踪器和第二跟踪器，该第一跟踪器和第二跟踪器包括第一多个光伏收集设备和第二多个光伏收集设备。该光伏系统可包括第一电机，该第一电机被配置成调节该第一跟踪器的角度。该光伏系统可包括耦接到该第一多个光伏收集设备的输出的逆变器。该逆变器可包括第一本地控制器，该第一本地控制器包括被配置成控制该第一电机的控制电路。在一个示例中，该逆变器可为串逆变器。在一个示例中，该逆变器可包括耦接到该第一多个光伏收集设备和该第二多个光伏收集设备的输出的块逆变器。该光伏系统还可包括功率收集单元，其中该功率收集单元可耦接到该第一多个光伏收集设备，并可包括该第一本地控制器。该光伏系统还可包括中央控制器，该中央控制器被配置成将第一指示提供给该第一本地控制器，其中该第一指示可由该第一本地控制器的该控制电路用来控制该第一电机。
-
公开(公告)号：CN105051913A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201280073812.8
申请日：2012-12-19
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H02S50/10 , H01L31/186 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明介绍了对太阳能电池进行高反向电流预烧的方法和具有预烧出的旁路二极管的太阳能电池。在一个实施例中，对具有隧道氧化层的太阳能电池的高反向电流预烧引起太阳能电池中的低击穿电压。在高电流下热炼太阳能电池还可以降低电池缺陷区域和非缺陷区域的电压差异。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.02 秒)
