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公开(公告)号:CN105830226A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201480068756.8
申请日:2014-12-18
Inventor: 理查德·汉密尔顿·休厄尔 , 戴维·阿龙·伦道夫·巴尔克豪泽 , 邬俊波 , 迈克尔·卡德兹诺维克 , 保罗·卢斯科托福 , 约瑟夫·本克 , 米歇尔·阿尔塞纳·奥利维尔·恩加姆·托科
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02008 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明描述了太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。在例子中,制造太阳能电池的方法涉及在设置于衬底中或衬底上方的半导体区域上形成阻挡层。所述半导体区域包括单晶硅或多晶硅。所述方法还涉及在所述阻挡层上形成导电糊剂层。所述方法还涉及由所述导电糊剂层形成导电层。所述方法还涉及形成所述太阳能电池的所述半导体区域的接触结构,所述接触结构至少包括所述导电层。
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公开(公告)号:CN105830226B
公开(公告)日:2018-02-09
申请号:CN201480068756.8
申请日:2014-12-18
Inventor: 理查德·汉密尔顿·休厄尔 , 戴维·阿龙·伦道夫·巴尔克豪泽 , 邬俊波 , 迈克尔·卡德兹诺维克 , 保罗·卢斯科托福 , 约瑟夫·本克 , 米歇尔·阿尔塞纳·奥利维尔·恩加姆·托科
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02008 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明描述了太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。在例子中,制造太阳能电池的方法涉及在设置于衬底中或衬底上方的半导体区域上形成阻挡层。所述半导体区域包括单晶硅或多晶硅。所述方法还涉及在所述阻挡层上形成导电糊剂层。所述方法还涉及由所述导电糊剂层形成导电层。所述方法还涉及形成所述太阳能电池的所述半导体区域的接触结构,所述接触结构至少包括所述导电层。
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