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公开(公告)号：CN101295612A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810114587.3
申请日：2008-06-06
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明提供一种无金属底托的环状真空吸气元件的制备方法，属真空吸气元件制备领域。制备工艺为：首先用无水乙醇及加拿大胶制备粘结剂溶液，再将粘结剂溶解液慢慢加入到吸气剂粉末中混至均匀，并制成不同粒度组成的吸气剂球形颗粒，将制备的球形颗粒经烘干后，在环形模具中加压，压制成环状坯件，将此环状坯件在真空状态下去除粘结剂，最后将去除粘结剂的环状坯件在真空炉中进行高温烧结，降温出炉后便制得无金属底托环状吸气元件。其优点在于节省了底托金属，简化了工艺操作，降低了制作成本，便于感应加热，吸气元件的激活温度容易控制；去掉金属底托，在同等重量前提下相当于增加了吸气剂的净含量，相对提高了吸气元件单位重量的吸气性能。
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公开(公告)号：CN104752498A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310726832.7
申请日：2013-12-25
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/42364 , H01L29/401 , H01L29/517
摘要： 本发明提供一种具有更高介电常数的MOS结构及其制备方法。该MOS结构包括半导体衬底、在半导体上沉积的栅介质薄膜、以及采用物理气相沉积法沉积的金属栅电极，其中的栅介质薄膜为铪基多元氧化物HfLaTiOx或HfLaTaOx。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗半导体衬底，去除表面的有机污染物、微尘、金属离子及氧化层；(2)采用物理气相沉积、化学气相沉积法或原子层沉积方法向半导体衬底上沉积栅介质薄膜；(3)采用物理气相沉积法向栅介质薄膜上沉积金属栅电极，得到MOS结构。本发明的MOS结构中栅介质薄膜为非晶态，结构稳定。本发明的MOS结构具有较小的漏电流密度和更高的介电常数。本发明的MOS结构的制备方法简单，重复性好。
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公开(公告)号：CN103855229A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520713.1
申请日：2012-12-06
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/0745 , H01L31/1804
摘要： 本发明公开了属于光电器件技术领域的一种增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件及其制备方法。本发明的石墨烯光电器件，包括背电极、半导体衬底、石墨烯、顶电极以及位于所述石墨烯和顶电极之间的阻挡功能层材料，阻挡功能层材料由一层金属氧化物薄膜。本发明采用某些金属氧化物薄膜作为阻挡功能层，利用氧化物薄膜材料的高透光度和阻挡空穴传输电子的功能，获得了具有提高光电效应的石墨烯基半导体异质结器件。本发明的光电器件具有制备方法简单、光电转换效率明显提高并且与新型的石墨烯材料相兼容等优点。
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公开(公告)号：CN102446627A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010503094.6
申请日：2010-09-30
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种金属化薄膜电容器，采用双向拉伸聚丙烯薄膜作为介质层，所述的薄膜的厚度为7.5～7.8μm，该薄膜的单面蒸镀锌铝电极，并在该面的宽度方向上的一边留边，留边以外的基条部分蒸镀有锌铝电极，将两卷上述薄膜的留边部分分别放在宽度方向上的不同的一侧上进行卷绕，卷绕成薄膜电容器。该薄膜的宽度为134.6～135.4mm，单边留边宽度为2.1～2.9mm，其在留边上的蒸镀方阻为2～5Ω/□，其在留边以外的基条部分的蒸镀方阻为10～15Ω/□。该电容量为240±5％μF和比能密度达500J/L，在100Hz条件下，其损耗角正切小于8×10-3、工作电压7000V、万次充放电电容损失量＜5％和放电电流达1380～1530A，放电时间约1～1.5ms。
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公开(公告)号：CN100373652C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410102757.8
申请日：2004-12-28
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Si(100)片上制备n-SnO2-x薄膜层，再在二氧化锡层上制备Pd-Ni层，形成Pd-Ni/SnO2复合膜的气敏元件。本发明制备的Pd-Ni/SnO2复合膜气敏元件，可在常温环境下，大大提高对氢气的选择性和灵敏性。本发明可以提供一种制造工艺简便，价格低廉的半导体气敏元件的制作方法。
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公开(公告)号：CN108172613A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201611120940.X
申请日：2016-12-07
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/285
摘要： 本发明公开了一种具有高介电常数结晶相的锆基栅介质材料以及其制备方法。该锆基栅介质材料通过稀土化合物掺杂氧化锆，经退火结晶化处理而得。其制备方法为：(1)采用磁控溅射、激光溅射技术制备稀土化合物与氧化锆混合均匀的锆基薄膜，或者采用ALD技术制备稀土化合物与氧化锆的叠层结构薄膜；(2)对所形成的锆基薄膜或叠层结构薄膜进行退火结晶化处理，退火温度范围在300～1100℃，退火气氛为Ar、H2、N2、NO2、NO、NH3、O2、O3中的一种或者几种。本发明采用稀土化合物掺杂氧化锆，可以优化锆基栅介质的能带结构，同时有效控制锆基栅介质氧空位含量，减小漏电流，提高锆基栅介质材料的综合性能。
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公开(公告)号：CN105483397B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510845540.4
申请日：2015-11-26
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01J9/00
摘要： 本发明公开了属于第三代微光夜视仪用铯释放剂及释放器领域的一种低温可控放铯的铯释放剂及其所用释放器的制备方法。所述铯释放剂包括一种铯盐和一种还原剂，铯盐为铬酸铯或钨酸铯，还原剂为改性的ZrVFe吸气剂。所述释放器采用NiCr合金管加工而成，在管上用激光打孔形成Cs蒸汽逃逸出口，管中间部分装入所述的铯释放剂并压制成型，同时将管两端夹平作为加热电极。将制成的释放器装入微光夜视仪中，发现其放铯温度为300‑500℃，不释放有害的杂质气体，释放速率和释放量可控，放铯次数可达300‑400次；释放器的蒸汽逃逸出口设计合理，Cs在光电阴极上的蒸镀均匀性好，显著提高负电子亲和势(NEA)光电阴极的性能。
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公开(公告)号：CN105483397A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510845540.4
申请日：2015-11-26
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了属于第三代微光夜视仪用铯释放剂及释放器领域的一种低温可控放铯的铯释放剂及其所用释放器的制备方法。所述铯释放剂包括一种铯盐和一种还原剂，铯盐为铬酸铯或钨酸铯，还原剂为改性的ZrVFe吸气剂。所述释放器采用NiCr合金管加工而成，在管上用激光打孔形成Cs蒸汽逃逸出口，管中间部分装入所述的铯释放剂并压制成型，同时将管两端夹平作为加热电极。将制成的释放器装入微光夜视仪中，发现其放铯温度为300-500℃，不释放有害的杂质气体，释放速率和释放量可控，放铯次数可达300-400次；释放器的蒸汽逃逸出口设计合理，Cs在光电阴极上的蒸镀均匀性好，显著提高负电子亲和势(NEA)光电阴极的性能。
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公开(公告)号：CN103894163B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210566972.8
申请日：2012-12-24
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： Y02W10/37
摘要： 一种高性能纳米TiO2光催化剂材料及其制备方法，该光催化剂材料由中空纳米结构多面体TiO2粒子构成，该中空纳米结构多面体TiO2粒子具有暴露面均为{101}面的内外双层高活性面结构，其孔洞大小为100～200nm。其制备方法为：(1)将钛粉、氢氟酸和双氧水在去离子水中混合均匀后再转移到反应釜中；(2)将反应釜密封后，于180℃保温3h；(3)自然冷却，离心分离收集固体产物；(4)将固体产物重新分散到装有乙二醇的反应釜中，密封反应釜置于烘箱中于160～220℃保温48～72h；(5)自然冷却，离心分离，将产物烘干即可。该光催化材料具有高的光催化活性和降解有机污染物的能力，可在室温太阳光照下直接应用于光催化降解水体中的有机污染物。其制备方法简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103839984A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210485630.3
申请日：2012-11-26
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L29/51 , H01L21/285
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/285
摘要： 本发明提供一种InP/高κ栅介质堆栈结构及其制备方法。该栅介质堆栈结构包括InP基片、在该InP基片上沉积的非晶HfO2-Gd2O3薄膜、以及采用物理气相沉积的金属栅电极。其制备方法包括如下步骤：(1)清洗InP基片，去除其表面的有机污染物、微尘、金属离子及氧化层；(2)采用氧化铪和氧化钆陶瓷靶材向InP基片上沉积HfO2-Gd2O3薄膜；(3)采用物理气相沉积法向HfO2-Gd2O3薄膜上沉积金属栅电极，得到InP/高κ栅介质堆栈结构。本发明的InP/高κ栅介质堆栈结构表现出优异的电学性能，具有较高的介电常数、较小的漏电流密度。本发明为III-V族半导体/高κ栅堆栈结构在集成电路中的应用提供了依据。
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