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    渗滤非晶硅太阳能电池
    4.
    发明公开
    渗滤非晶硅太阳能电池 无效

    公开(公告)号：CN101809750A

    公开(公告)日：2010-08-18

    申请号：CN200880109546.3

    申请日：2008-10-21

    申请人： 应用材料股份有限公司

    发明人： 皮特·博登

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明大体上包括一种太阳能电池和太阳能电池制造工艺。光生电子和电子-空穴可具有短寿命和低迁移率，这让电子或电子-空穴在到达结之前复合。渗滤太阳能电池器件可以缩短电子和电子-空穴到达结所需移动的距离。可以通过沉积具有致孔剂的含硅层，以及随后分解致孔剂以在含硅层中产生诸如微孔的孔，来形成渗滤太阳能电池。在一实施例中，沉积并随后阳极浸蚀含硅层以在含硅层中产生孔。沉积在含硅层上方的层可以延伸到孔中。通过延伸到孔中，可以缩短电子和电子-空穴到达结的距离，并且更多的电子和电子-空穴可以到达结。

    一种提高太阳能电池效率的制冷涂层的制备方法
    7.
    发明公开
    一种提高太阳能电池效率的制冷涂层的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105679879A

    公开(公告)日：2016-06-15

    申请号：CN201610018629.8

    申请日：2016-01-13

    申请人： 山东星火科学技术研究院

    发明人： 车春玲

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/052

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/052

    摘要： 本发明涉及一种提高太阳能电池效率的制冷涂料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将硅片表面进行清洗；将步骤(1)所得的硅片进行制绒；将步骤(2)所得的硅片制备多孔硅,多孔硅的孔径在0.5um-10um，在硅片表面制作光子晶体制冷涂层；将步骤(3)所得的硅片上制作发射极、周边刻蚀、磷硅酸玻璃去除；将步骤(4)所得的硅片再依次进行沉淀氮化硅膜、高温退火、采用丝印正方面电极和背铝、烧结。其有益效果为：太阳能电池表面的多孔硅结构以及制冷涂层可有效降低太阳能电池的温度，提高工作状态下的发电效率。

    基于LRC工艺的n-Ge-i-Ge-p-Si结构波导型光电探测器及其制备方法
    10.
    发明公开
    基于LRC工艺的n-Ge-i-Ge-p-Si结构波导型光电探测器及其制备方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN107863399A

    公开(公告)日：2018-03-30

    申请号：CN201710104250.3

    申请日：2017-02-24

    申请人： 乔丽萍

    发明人： 乔丽萍

    IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/1812

    摘要： 本发明涉及一种基于LRC工艺的n-Ge-i-Ge-p-Si结构波导型光电探测器及其制备方法。该方法包括：制备SOI衬底；在顶层Si层表面分别刻蚀形成波导区，耦合结构和器件部分；在器件部分的表面生长Ge材料，并制备保护层；对整个衬底进行加热，并采用激光工艺晶化整个衬底，冷却使Ge材料形成晶化Ge层，去除保护层；在晶化Ge层表面生长第一Ge层和第二Ge层；在整个衬底上制备钝化层，利用选择性刻蚀工艺刻蚀钝化层以在顶层Si层表面形成P型接触孔并在第二Ge层表面形成N型接触孔；在P型和N型接触孔淀积金属完成互连以最终形成光电探测器。本发明实施例光电探测器可减少暗电流，并克服了垂直入光型光探测器中高速响应与量子效率矛盾，同时保证了高速率和高量子效率。