太阳能电池
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101051656A

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN200710096766.4

    申请日:2007-04-06

    Inventor: 朴相昱

    Abstract: 一种太阳能电池,包括:半导体基板,具有第一部分和第二部分;半导体基板的发射体部分,设置在半导体基板的前表面上,并且延伸到半导体基板的第一部分的后表面;第一电极,电连接到半导体基板的发射体部分,并且设置在半导体基板的后表面上;和第二电极,电连接到半导体基板,并且设置在半导体基板的后表面上。半导体基板的第一部分薄于半导体基板的第二部分。

    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN100587978C

    公开(公告)日:2010-02-03

    申请号:CN200610156357.4

    申请日:2006-12-29

    CPC classification number: H01L31/022425 Y02E10/50

    Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法,该方法包括:在半导体衬底的第一表面上形成发射体层;在所述发射体层上形成绝缘层;在所述绝缘层上以特定图样形成化学化合物,该化学化合物包含与所述发射体层具有相同传导类型的掺杂剂;通过去除其上形成有化学化合物的绝缘层并扩散所述掺杂剂,形成高浓度发射体部分;去除所述化学化合物;以及形成被电连接到所述高浓度发射体部分的第一电极。

    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN1992355A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200610156357.4

    申请日:2006-12-29

    CPC classification number: H01L31/022425 Y02E10/50

    Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法,该方法包括:在半导体衬底的第一表面上形成发射体层;在所述发射体层上形成绝缘层;在所述绝缘层上以特定图样形成化学化合物,该化学化合物包含与所述发射体层具有相同传导类型的掺杂剂;通过去除其上形成有化学化合物的绝缘层并扩散所述掺杂剂,形成高浓度发射体部分;去除所述化学化合物;以及形成被电连接到所述高浓度发射体部分的第一电极。

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