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公开(公告)号：CN111844955B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010727521.2
申请日：2020-07-27
Applicant: 电子科技大学 , 新华海通(厦门)信息科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高介电复合材料，属于功能材料技术领域。本发明提供的一种高介电复合材料，通过真空抽滤作用制备由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜，由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜内部先形成电容结构，然后浇筑聚苯醚树脂包裹住由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜，再在其上下面覆盖铜箔，经过热压和加热挥发溶剂得到聚苯醚基复合材料，从而实现由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜与聚苯醚的复合，得到高介电、低损耗的聚苯醚基复合材料。本发明公开的聚苯醚基复合材料可用于印制电路埋置电容器件，表现出高介电常数、低损耗的优点，制备方法简单高效。
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公开(公告)号：CN111844955A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010727521.2
申请日：2020-07-27
Applicant: 电子科技大学 , 新华海通(厦门)信息科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高介电复合材料，属于功能材料技术领域。本发明提供的一种高介电复合材料，通过真空抽滤作用制备由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜，由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜内部先形成电容结构，然后浇筑聚苯醚树脂包裹住由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜，再在其上下面覆盖铜箔，经过热压和加热挥发溶剂得到聚苯醚基复合材料，从而实现由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜与聚苯醚的复合，得到高介电、低损耗的聚苯醚基复合材料。本发明公开的聚苯醚基复合材料可用于印制电路埋置电容器件，表现出高介电常数、低损耗的优点，制备方法简单高效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105097993A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510503647.0
申请日：2015-08-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/028
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/0284
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造多孔硅材料的方法，包括：获取N型硅衬底；在N型硅衬底上形成多孔硅层；在多孔硅层中掺入掺杂元素，形成掺杂的多孔硅层。本发明实施例中，制成的多孔硅结构对可见光以及近红外光波段有良好的吸收性能、噪声电流低，并且该方法操作简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN105097982A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510503639.6
申请日：2015-08-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/102 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L31/0352
Abstract: 本发明实施例公开了一种感光二极管，包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第二掺杂区位于第一掺杂区和第三掺杂区之间，第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型相反，第二掺杂区的掺杂浓度小于第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区上形成有黑硅层，该黑硅层为感光二极管的感光区域。本发明的实施例中，感光二极管中使用黑硅层作为感光区域，黒硅层对可见-近红外光的吸收率能达到近100%，大大提高了感光二极管对光的吸收率和灵敏度，并且结构简单。
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公开(公告)号：CN105244439A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510565095.6
申请日：2015-09-08
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4233 , H01L2251/303
Abstract: 本发明实施例公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法，包括：在透明的衬底上形成氧化锌层；将形成了氧化锌层的衬底置于生长溶液中进行反应，在氧化锌层上生长形成铝掺杂氧化锌纳米棒层；在铝掺杂氧化锌纳米棒层上形成氧化铝层；在氧化铝层上形成钙钛矿光敏感层；在钙钛矿光敏感层上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成背电极层。本发明的实施例中，采用铝掺杂氧化锌纳米棒层作为电子传输层，其具有较大的表面积和较好的电子传输能力；氧化铝层形成铝掺杂氧化锌纳米棒层上，作为修饰阻挡层，可以改善氧化锌纳米棒的缺陷；这样，使得本发明实施例的基于铝掺杂氧化锌纳米棒的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率得到了提高。
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公开(公告)号：CN105097994A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510503833.4
申请日：2015-08-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/035227
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造太阳能电池的方法，包括：制备具有背面电极层和正面电极层的硅电池衬底；将氯金酸溶液与十六烷基三甲基溴化铵溶液混合，并加入硼氢化钠溶液，获得种子溶液；将十六烷基三甲基溴化铵和油酸钠加入纯水中形成混合溶液，并加入硝酸银溶液、氯金酸溶液、浓盐酸和抗坏血酸，获得生长溶液；将种子溶液加入生长溶液中，反应生长形成金纳米棒溶液；将金纳米棒溶液涂于硅电池衬底的正面电极层上，形成局域表面等离子体共振光吸收增强层。通过在PN硅正面电极层上沉积金纳米棒实现太阳能电池的局域表面等离子体共振增强吸收，使得制造出的太阳能电池具有两个吸收峰，提高了太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN105098080A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510503651.7
申请日：2015-08-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , H01L21/324
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L21/324 , H01L51/44
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法，包括：清洗柔性衬底；在柔性衬底上形成有机无机钙钛矿薄膜；在N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜蒸汽气氛下对该有机无机钙钛矿薄膜进行退火处理。本发明的这些实施例中，在DMF或DMSO蒸汽气氛下进行退火处理，在这种溶剂热退火过程中，可以使小晶粒不断萎缩，而相对较大的晶粒不断长大，使得有机无机钙钛矿晶体薄膜的晶粒平均尺寸不断增加，并且可以得到更多[220]晶向的晶粒，因此可以延长其载流子寿命，促进晶粒的生长，使晶粒尺寸更大，减少晶界复合，从而提高有机无机钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
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