公开(公告)号：CN102272941A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980154017.X

申请日：2009-11-06

申请人： 联合太阳能奥佛有限公司

发明人： X·徐 ,  S·古哈 ,  C·杨 ,  D·A·贝格罗 ,  S·琼斯 ,  Y·李 ,  B·杨 ,  G·岳

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 氢化硅基半导体合金具有少于1016个·cm-3的缺陷密度。该合金可以包括氢化硅合金或氢化硅-锗合金。该合金的氢含量通常少于15％，在一些情况下少于11％。并入该合金的串联光伏器件显示出较低水平的光降解。在一些情况下，材料由高速VHF沉积法制备。