CIGS基薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法

    公开(公告)号:CN105336800B

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201510710965.4

    申请日:2015-10-28

    发明人: 李艺明 邓国云

    IPC分类号: H01L31/032

    摘要: 本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法。该方法包括提供基板,基板沉积有预制层。该方法进一步包括:将惰性气体、含硒物质、含硫物质引入加热炉中,并将热能转移入炉内,以将温度从室温升高到第一温度,并在第一温度停留一段时间;之后,将温度从第一温度升高到第二温度,并在第二温度停留一段时间;之后,将温度从第二温度升高到第三温度,并在第三温度停留一段时间;之后,将温度从第三温度降至第四温度,并在第四温度停留一段时间;之后,冷却至室温。本发明能够使光吸收层获得较大的晶粒,能够实现较高的开路电压和较高的填充因子。

    薄膜太阳能电池组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN105789351A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610033843.0

    申请日:2016-01-19

    发明人: 李艺明 邓国云

    摘要: 本发明提供了一种薄膜太阳能电池组件及其制备方法,该薄膜太阳能电池组件包括基板,背电极层,半导体层,透明导电层,及P1、P2和P3沟槽;其中P1沟槽被半导体层材料填充,在P2沟槽的侧壁和底部都覆盖有高电阻材料膜层,在P2沟槽内填充具有导电性的材料,高电阻材料膜层位于P2沟槽的侧壁和/或底部与透明导电层之间,具有导电性的材料填充于透明导电层上方和/或下方。所述导电性的材料由含有导电性粒子的树脂或油墨构成,所述导电性粒子包括银、铝、钛、铜、钼、碳或及其合金等。本发明能够提升薄膜太阳能电池组件的性能。

    CIGS基薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法

    公开(公告)号:CN105336800A

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201510710965.4

    申请日:2015-10-28

    发明人: 李艺明 邓国云

    IPC分类号: H01L31/032

    CPC分类号: H01L31/0322

    摘要: 本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法。该方法包括提供基板,基板沉积有预制层。该方法进一步包括:将惰性气体、含硒物质、含硫物质引入加热炉中,并将热能转移入炉内,以将温度从室温升高到第一温度,并在第一温度停留一段时间;之后,将温度从第一温度升高到第二温度,并在第二温度停留一段时间;之后,将温度从第二温度升高到第三温度,并在第三温度停留一段时间;之后,将温度从第三温度降至第四温度,并在第四温度停留一段时间;之后,冷却至室温。本发明能够使光吸收层获得较大的晶粒,能够实现较高的开路电压和较高的填充因子。

    CIGS基薄膜太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN105023958A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510450126.3

    申请日:2015-07-28

    发明人: 李艺明 邓国云

    摘要: 本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池及其制作方法,包括,衬底,覆盖衬底表面的背电极层,覆盖背电极层的光吸收层,覆盖光吸收层的缓冲层,覆盖缓冲层的透明导电层,以及覆盖透明导电层的氮氧化铝硅膜层或由氧化锌硅膜层与氮氧化硅膜层交替组成的复合膜层。所述的氮氧化铝硅膜层或复合膜层能够有效阻挡外部的水分子进入薄膜电池内部,减小薄膜太阳能电池效率下降的程度;同时又可起到减反射的作用,增加入射光到达电池的光吸收层,从而可增加薄膜电池的短路电流。

    一种用于太阳能电池的透明导电窗口层及CIGS基薄膜太阳能电池

    公开(公告)号:CN104882495A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510229041.2

    申请日:2015-05-07

    发明人: 李艺明 田宏波

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及一种用于太阳能电池的透明导电窗口层及CIGS基薄膜太阳能电池,该太阳能电池包括依次层叠设置的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、本征氧化锌层及透明导电窗口层,其中,透明导电窗口层为一金属基透明导电层构成。金属基透明导电层作为CIGS基薄膜太阳能电池装置的透明导电窗口层,比传统的透明导电窗口层AZO薄膜具有更低的方块电阻、制作的膜层厚度比AZO薄很多、同时对中远红外线具有较强的反射能力,这可提高薄膜电池的性能。

    一种CIGS基薄膜太阳能电池

    公开(公告)号:CN105261660B

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201510540233.5

    申请日:2015-08-28

    发明人: 李艺明 邓国云

    IPC分类号: H01L31/032 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池,包括:基板,在基板上形成背电极层,在背电极层上形成银镓合金膜层,在银镓合金膜层上形成光吸收层,在光吸收层上形成缓冲层,在缓冲层上形成透明导电层。在背电极层上形成银镓合金膜层可以提高光吸收层的结晶质量,使背电极层与光吸收层的粘结更加牢固,可减少背电极层受硫族元素的腐蚀,改善开路电压和短路电流。