Invention Publication
- Patent Title: CIGS基薄膜太阳能电池的制备方法及制备装置
- Patent Title (English): Preparation method and preparation device for CIGS-based thin-film solar cell
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Application No.: CN201510498243.7Application Date: 2015-08-14
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Publication No.: CN105006501APublication Date: 2015-10-28
- Inventor: 李艺明 , 邓国云
- Applicant: 厦门神科太阳能有限公司
- Applicant Address: 福建省厦门市火炬高新区创业园宏业楼104室
- Assignee: 厦门神科太阳能有限公司
- Current Assignee: 厦门神科太阳能有限公司
- Current Assignee Address: 福建省厦门市火炬高新区创业园宏业楼104室
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; C23C14/35 ; C23C14/54
![CIGS基薄膜太阳能电池的制备方法及制备装置](/CN/2015/1/99/images/201510498243.jpg)
Abstract:
本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池的制备方法及制备装置。本发明是在一个真空腔体中采用双靶溅射沉积CIGS基薄膜太阳能电池的光吸收层,在溅射过程中,1号靶的等离子体烧蚀区域朝向基板方向,2号靶的等离子体烧蚀区域朝向1号靶的表面,这样2号靶的材料就先沉积到1号靶上,然后再和1号靶的材料一起沉积到基板上,此种光吸收层的制备方法使沉积的膜层的组分更加均匀。
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