发明授权
- 专利标题: 一种CIGS基薄膜太阳能电池
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申请号: CN201510540233.5申请日: 2015-08-28
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公开(公告)号: CN105261660B公开(公告)日: 2017-08-29
- 发明人: 李艺明 , 邓国云
- 申请人: 厦门神科太阳能有限公司
- 申请人地址: 福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼南楼S102A室
- 专利权人: 厦门神科太阳能有限公司
- 当前专利权人: 厦门神科太阳能有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼南楼S102A室
- 代理机构: 厦门市首创君合专利事务所有限公司
- 代理商 张松亭; 游学明
- 主分类号: H01L31/032
- IPC分类号: H01L31/032 ; H01L31/18
摘要:
本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池,包括:基板,在基板上形成背电极层,在背电极层上形成银镓合金膜层,在银镓合金膜层上形成光吸收层,在光吸收层上形成缓冲层,在缓冲层上形成透明导电层。在背电极层上形成银镓合金膜层可以提高光吸收层的结晶质量,使背电极层与光吸收层的粘结更加牢固,可减少背电极层受硫族元素的腐蚀,改善开路电压和短路电流。
公开/授权文献
- CN105261660A 一种CIGS基薄膜太阳能电池 公开/授权日:2016-01-20
IPC分类: