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公开(公告)号：CN106603001A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611180686.2
申请日：2016-12-19
Applicant: 上海电机学院
Abstract: 本发明涉及光伏发电领域，尤其涉及一种新型快速定位故障点的网状光伏组件结构。包括若干个光伏发电板，所述光伏发电板呈矩阵排列，光伏发电板以TCT结构线路连接，相邻两块光伏发电板间的线路安装有一个开关，每个开关和光伏发电板间转换线路相连，同时闭合全部横向线路开关或纵向线路开关后光伏发电板均为TCT结构。本发明准确、快速，成本较低，而且整个过程也是十分的简单在切换中，不会影响正常运行，开关切换后组件结构不会发生变化，这也降低了影响，将每一行，每一列的电流总值与理论正常值进行比对，就能准确定位故障组件的坐标值。
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公开(公告)号：CN105071440A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510520581.6
申请日：2015-08-22
Applicant: 上海电机学院
Abstract: 本发明公开了一种基于新能源的供电电网，包括：风力发电组与太阳能发电组，其输出端分别电连接储能逆变器的输入端；储能逆变器，其输出端电连接第一变压器的输入端；第一变压器，其输出端分别连接至第二电压监测装置以及二次调压电路；第二电压监测装置，用于对所述第一变压器输出端的电压进行采样，以根据所述第一变压器的输出对该二次调压电路进行控制；二次调压电路，在所述第二电压监测装置的控制下，根据所述第二电压监测装置的采样数据选择是否对所述第一变压器输出的电压进行调压,通过本发明，可以实现自动调整电压，不需人工干预就能实现自动将输出电压稳定的功能。
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公开(公告)号：CN106784110A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611173877.6
申请日：2016-12-16
Applicant: 上海电机学院
IPC: H01L31/0725 , H01L31/076
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0725 , H01L31/076
Abstract: 本发明公开了一种基于低价晶硅片的叠层太阳能光伏电池，包括位于下层的PN单结晶硅电池、以及位于上层的PIN非晶硅薄膜电池，所述PN单结晶硅电池和PIN非晶硅薄膜电池通过外延技术沉积的晶硅层。本发明能够在保持高转化效率的前提下适合大规模工业生产，将低纯度廉价材料作为电池生产材料，大幅降低材料成本，从而降低整个电池成本。
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公开(公告)号：CN106653928A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611076047.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 上海电机学院
IPC: H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0747 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种新型异质结太阳能电池结构，包括前电极、背电极、以及位于所述前电极和背电极之间的单晶硅；在所述前电极和单晶硅、背电极和单晶硅设有渐变式的P/i层和i/N层。本发明在制作P和N的过程中，先不通入掺杂气体，这样自然形成一定的本征非晶硅钝化层，然后逐渐增加掺杂气体量，从而达到制备P和N层的目的。这样形成的是一个从i过渡到P和从i过渡到N的渐变钝化层，既起到钝化的作用，又简化了制作工序，更减少了两个界面(P/i和i/N)。从而达到简化工序得到更大电池产能的目的。
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公开(公告)号：CN106449847A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611072891.7
申请日：2016-11-29
Applicant: 上海电机学院
IPC: H01L31/072 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/072 , H01L31/056 , H01L31/1876
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直PN异质结太阳能电池结构，包括单晶硅片，在所述单晶硅片的一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P+掺杂层，在所述负电极的内侧设有N+掺杂层，在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层，在所述P+掺杂层和N+掺杂层的外侧设有钝化层，所述P+掺杂层和N+掺杂层纵向设置在单晶硅片上，且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784114A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611167903.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 上海电机学院
IPC: H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/028 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/076 , H01L31/028 , H01L31/035227 , H01L31/077
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米线的薄膜硅晶体硅叠层太阳能光伏电池，包括位于上层的NIP非晶硅叠层电池、以及位于下层的PIN异质结硅电池，所述NIP非晶硅叠层电池和PIN异质结硅电池通过非晶硅隧道结串联，在所述PIN异质结硅电池的吸收层晶体硅的上表面设有硅纳米线阵列。本发明通过将硅纳米线阵列引入叠层电池，使电池兼具纳米线阵列的陷光优势和叠层电池的较高的开路电压和短路电流。
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公开(公告)号：CN106656033A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610957234.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 上海电机学院
IPC: H02S50/00
CPC classification number: H02S50/00
Abstract: 一种光伏晶体板在线故障监控方法，将光伏晶体板根据阵列形式进行排序和编号，一个编号对应一个光伏晶体板，使得能够根据序列号来进行快速定位，每个光伏晶体板，以及与所述光伏晶体板并联的第一元器件，一个信号采集点组成光伏晶体板模块，将每一个光伏晶体板模块按照阵列形式排列，每个模块都分别与一个信号触角连接，模块中的故障信号传递到信号触角，然后根据触角代表的数字来确定所代表的那个模块，迅速找到故障点。
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公开(公告)号：CN106684162A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611073643.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 上海电机学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/022433 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种具有交叉电极的晶体硅太阳能电池，包括单晶硅片，在所述一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P+掺杂层，在所述负电极的内侧设有N+掺杂层；在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层，且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行，P+掺杂层由单晶硅片外侧向内侧延伸，N+掺杂层由单晶硅片内侧向外侧延伸，P+掺杂层和N+掺杂层的端部在单晶硅片的中部构成交叉结构。
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公开(公告)号：CN106601836A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611168608.0
申请日：2016-12-16
Applicant: 上海电机学院
IPC: H01L31/0236 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02363 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺，包括如下步骤：1)采用二氧化硅制作自组装掩模版，并将正酸乙酯和乙醇溶液混合，在自组装掩模版制作出二氧化硅纳米颗粒自组装掩模版；2)二氧化硅纳米颗粒自组装掩模版，对已经扩散好PN的硅片进行刻蚀，再在硅片的表面进行陷光结构的刻蚀，以制作硅微米柱阵列。本发明降低了反应离子刻蚀法的成本，并通过混合酸溶液的修饰大量减少了刻蚀后缺陷，使得硅柱既能成为良好的陷光结构，又不会使表面刻蚀缺陷激增，从而降低的光伏电池的反射率，增加了电池的光生电流。
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公开(公告)号：CN106409925A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611075951.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 上海电机学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/035272 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种新型晶体硅太阳能电池结构，包括单晶硅片，在所述单晶硅片一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P+掺杂层，在所述负电极的内侧设有N+掺杂层，在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层，所述P+掺杂层和N+掺杂层纵向设置在单晶硅片上，且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行。本发明采用了激光掺杂的办法形成了纵向的PN结，使太阳光直接入射到单晶硅吸收层，有效避免了常规电池的P+掺杂层和N+掺杂层对太阳光的吸收造成的光损失，从而有效提高电池的转换效率。
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