公开(公告)号：CN113745359B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202110986532.7

申请日：2021-08-26

Applicant: 暨南大学

Inventor： 沈凯 ,  刘娇 ,  麦耀华 ,  周逸良 ,  鲍飞雄 ,  王新龙

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池。该方法包括：在硒源层上沉积p型CdTe薄膜，当CdTe薄膜沉积完成后进行快速超高温扩散反应过程，然后进行激活热处理工艺，快速超高温扩散反应过程是指在CdTe薄膜沉积完成后，将沉积得到的薄膜叠层快速升温至550～620℃的高温，高压氮气或惰性气体环境下，保持1～20min，然后快速降温。本发明提出通过在吸收层沉积完毕后，引入高温扩散反应过程，调控优化Se在吸收层中均匀扩散反应，形成组分分布可控和低缺陷浓度的高质量CdTeSe/CdTe梯度结构吸收层，显著改善了梯度吸收层组分分布及电学特性，有效提高了CdTe太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN115939234A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110986511.5

申请日：2021-08-26

Applicant: 暨南大学

Inventor： 沈凯 ,  鲍飞雄 ,  麦耀华 ,  杨恢东 ,  王新龙 ,  刘娇 ,  周逸良

IPC: H01L31/0272 ,  H01L31/042 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种三方晶系硒薄膜的制备方法及其太阳电池。本发明通过热蒸发或热升华法，在衬底生长温度高于硒的固相与气相的相变温度点，即发生二次升华的条件下沉积，制得三方晶系硒薄膜；制备过程中，衬底生长温度为190℃～210℃，硒源温度为210～240℃，硒薄膜生长时间为10s～10min。本发明首次提出一种基于高温二次升华过程方法直接制备高质量三方晶系硒，无需进行二次重结晶过程，通过调控生长温度、生长时间以及生长气氛来控制硒薄膜的成核生长、晶粒生长、晶格取向，以获得物相单一、晶格取向可控和晶粒排列致密的高质量三方晶系硒薄膜，进而提高硒基太阳电池器件性能的技术。

公开(公告)号：CN113745359A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110986532.7

申请日：2021-08-26

Applicant: 暨南大学

Inventor： 沈凯 ,  刘娇 ,  麦耀华 ,  周逸良 ,  鲍飞雄 ,  王新龙

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池。该方法包括：在硒源层上沉积p型CdTe薄膜，当CdTe薄膜沉积完成后进行快速超高温扩散反应过程，然后进行激活热处理工艺，快速超高温扩散反应过程是指在CdTe薄膜沉积完成后，将沉积得到的薄膜叠层快速升温至550～620℃的高温，高压氮气或惰性气体环境下，保持1～20min，然后快速降温。本发明提出通过在吸收层沉积完毕后，引入高温扩散反应过程，调控优化Se在吸收层中均匀扩散反应，形成组分分布可控和低缺陷浓度的高质量CdTeSe/CdTe梯度结构吸收层，显著改善了梯度吸收层组分分布及电学特性，有效提高了CdTe太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN116666470A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202210150505.0

申请日：2022-02-18

Applicant: 暨南大学

Inventor： 沈凯 ,  麦耀华 ,  鲍飞雄 ,  杨恢东 ,  王新龙

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种三方晶系硒薄膜结晶方法及硒基太阳电池。所述方法包括如下步骤：Se吸收层沉积完成后，将材料在含氧、无水以及光照条件下进行热退火处理，获得三方晶系硒薄膜；其中，所述光照环境，其光谱为300～800nm的光谱区间，光照强度为100～1000W/m2，光照时间为15～110分钟；所述热退火过程，升温时间为10～90分钟，热退火温度为160～210℃，热退火温度保持时间为5～20分钟，热退火完成后自然冷却降至室温。本发明通过调控硒薄膜热退火的环境来控制硒薄膜的结晶过程，改善薄膜的光电特性，以获得物相单一、光电特性优异的三方晶系硒薄膜，进而提高硒基太阳电池器件性能。