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公开(公告)号：CN118130474A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410254530.2
申请日：2024-03-06
Applicant: 合肥工业大学
IPC: G01N21/88 , G06V10/764 , G06T7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于ZYNQ开发板的缺陷分类系统，是通过硬件电路结合图像处理算法实现不同种类的缺陷分类，包括：线阵相机、camlink接口卡、ZYNQ处理系统和显示模块；线阵相机通过camlink接口卡接收控制信息并采集图像数据，然后将图像数据信息发送至ZYNQ处理系统中；ZYNQ处理系统将接收到的图像数据信息进行解码，分离出图像数据，并将解码后的信息发送至图像处理模块中；图像处理模块对解码后的图像数据进行处理及分类识别，并将识别结果实时标记，从而实现智能检测。本发明使用图像处理技术将点状和线状缺陷的像素差异通过ZYNQ处理系统表现，可以保证检测过程的高实时性。
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公开(公告)号：CN116110985B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310387782.8
申请日：2023-04-12
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，是将InSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的金属/介质层非对称F‑P腔上方，利用腔共振，增强InSe在日盲紫外波段的吸收，从而提高InSe基光电探测器的响应度、日盲紫外/可见抑制比，实现日盲紫外光电探测。本发明利用窄禁带半导体材料实现日盲紫外光电探测，制备工艺简单，为高性能日盲紫外光电探测提供了一个新的思路。
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公开(公告)号：CN116196653A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310218008.4
申请日：2023-03-08
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机器视觉的智能液体分离方法，是通过硬件电路结合图像处理算法实现不互溶密度不同液体的自动分离，包括：光源及控制模块、ZYNQ处理系统模块、透明反应釜、储料池、电动阀门，其中，ZYNQ处理系统模块包括：图像采集模块、图像处理模块、格式转换模块、时钟控制模块、VDMA模块、DDR3存储单元、显示驱动模块；该方法通过主动成像实时采集透明反应釜中液体分界面的图像数据后经过基于帧差法的目标追踪算法对混合液体的分界面进行识别和运动检测，以控制电动阀门的开关，从而实现自动控制。本发明使用机器视觉技术将光在透明不互溶液体的差异通过FPGA表现，以快速高效地实时显示透明不互溶液体的分离过程。
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公开(公告)号：CN116188868A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310217992.2
申请日：2023-03-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/30 , G06V10/34
Abstract: 本发明公开了一种基于ZYNQ开发板的塑料分选方法，其步骤包括：首先使用近红外光谱仪采集不同类别塑料的近红外光谱图像作为输入；然后依据近红外光谱对不同类别塑料光谱响应的不同的特点，构建用于塑料种类识别的神经网络模型；再利用PL端处理器的可并行计算的特点，在PL端处理器上对图像数据进行卷积和下采样计算，充分挖掘卷积神经网络中大量乘加运算的并行性，并通过配置内部资源生成不同功能硬件模块，在保证分类准确率的前提下，达到提高分类速度、降低模型功耗。本发明能提高塑料分选准确率的同时，大大缩减系统处理时间，从而改善传统塑料分选过程复杂、速度慢、效率低等缺点。
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公开(公告)号：CN111952402B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202010867079.3
申请日：2020-08-26
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , G01J3/50
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/超薄硅/石墨烯异质结的颜色探测器及其制备方法，该颜色探测器是由两个相同的石墨烯‑超薄硅‑石墨烯异质结单元上下叠合而成，在光照下，下层异质结单元与上层异质结单元的电流比，随被探测光波长的增大而增大，从而可根据电流比识别被探测光的波长。本发明的颜色探测器制备工艺简单、成本低廉、性质稳定、可靠性强、响应速度快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111947792B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010867080.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 合肥工业大学
IPC: G01J9/00 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测系统及其制备方法，是在玻璃衬底的上、下表面对称设置有由两二硒化钯薄膜与n‑型超薄硅片构成金属半导体金属肖特基结的一对颜色探测单元。本发明的颜色探测系统可探测的波长范围包括460‑810nm，跨越了整个可见光区域又涉及一部分近红外波段，且该系统具有准确性和重复性高的优点。
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公开(公告)号：CN114613847B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210500579.2
申请日：2022-05-10
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L21/02 , H01L21/335 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法，是在Si衬底上利用金属有机气相化学沉积的方法外延生长基于AlGaN/GaN异质结的HEMT外延薄膜。本发明通过在Si衬底上生长缓冲层控制Al组分渐变，并且加入AlGaN/AlN超晶格和AlN/GaN超晶格的双层超晶格缓冲层来降低晶格失配和热失配，实现大尺寸硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜的生长，得到高质量的AlGaN/GaN异质结，获得高浓度高迁移率的二维电子气（2DEG）。
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公开(公告)号：CN108321294B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810112039.0
申请日：2018-02-05
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种存储机制可调的薄膜阻变存储器及其制备方法，其是以上表面覆有绝缘层的硅基衬底为基底，在绝缘层上分散有铜硫酸钾准一维纳米结构，在铜硫酸钾准一维纳米结构的一端沉积有与其呈欧姆接触第一金属薄膜电极，另一端自下而上依次沉积有自发氧化形成的铜的氧化物薄膜和第二金属薄膜电极。本发明以高纯金属铜为蒸发源，通过蒸发过程中的自发氧化，实现氧化物薄膜阻变存储器的制备，制备过程简单易行，器件性能优越。
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公开(公告)号：CN109449225A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811267225.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法，其是以n-型硅基底为光电探测器的基区，在其下表面设置n-型硅基底电极，在其上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化钯接触电极，二硒化钯接触电极的边界不超过绝缘层的边界；在二硒化钯接触电极上铺设二硒化钯薄膜，二硒化钯薄膜一部分与二硒化钯接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n-型硅基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。本发明的光电探测器工艺简单、成本低廉、电流开关比大、响应速度快。
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公开(公告)号：CN109411562A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811267218.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了二硒化铂薄膜/n-型锗异质结近红外光探测器及其制备方法，其是以n-型锗基底为光电探测器的基区，在n-型锗基底的下表面设置n-型锗基底电极，上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化铂接触电极，在二硒化铂接触电极上铺设二硒化铂薄膜，二硒化铂薄膜一部分与二硒化铂接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n-型锗基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。本发明的光电探测器工艺简单、成本低廉、响应度高、响应速度快。
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