公开(公告)号：CN116110985B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310387782.8

申请日：2023-04-12

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 吴春艳 ,  单龙强 ,  张宇梁 ,  江晓运 ,  胡继刚 ,  罗林保

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/032 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，是将InSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的金属/介质层非对称F‑P腔上方，利用腔共振，增强InSe在日盲紫外波段的吸收，从而提高InSe基光电探测器的响应度、日盲紫外/可见抑制比，实现日盲紫外光电探测。本发明利用窄禁带半导体材料实现日盲紫外光电探测，制备工艺简单，为高性能日盲紫外光电探测提供了一个新的思路。

公开(公告)号：CN116110985A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310387782.8

申请日：2023-04-12

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 吴春艳 ,  单龙强 ,  张宇梁 ,  江晓运 ,  胡继刚 ,  罗林保

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/032 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，是将InSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的金属/介质层非对称F‑P腔上方，利用腔共振，增强InSe在日盲紫外波段的吸收，从而提高InSe基光电探测器的响应度、日盲紫外/可见抑制比，实现日盲紫外光电探测。本发明利用窄禁带半导体材料实现日盲紫外光电探测，制备工艺简单，为高性能日盲紫外光电探测提供了一个新的思路。