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公开(公告)号：CN112820744A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010519137.3
申请日：2020-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 通过为反射器提供接地连接来解决降低图像传感装置(特别是近红外检测器)中的噪声的问题。反射器可通过将反射器耦合到衬底的接地区域的通孔来接地。衬底的接地区域可以是接近于衬底的表面形成的P+掺杂区域。具体来说，P+掺杂区域可以是光电二极管的部分。替代地，反射器可通过形成在衬底的前侧上方的金属内连线结构来接地。
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公开(公告)号：CN113161420B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202110008411.5
申请日：2021-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110867460A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910185176.1
申请日：2019-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，提供了一种图像传感器的形成方法。该方法包括在半导体衬底中形成多个沟槽，其中，沟槽从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底中。在沟槽的下表面、沟槽的侧壁和半导体衬底的背侧上形成包括掺杂剂的外延层，其中，掺杂剂具有第一掺杂类型。将掺杂剂驱入半导体衬底中以沿外延层形成具有第一掺杂类型的第一掺杂区，其中，第一掺杂区将具有与第一掺杂类型相对的第二掺杂类型的第二掺杂区与沟槽的侧壁分离并且与半导体衬底的背侧分离。在半导体衬底的背侧上方形成介电层，其中，介电层填充沟槽以形成背侧深沟槽隔离结构。本发明的实施例还提供了CMOS图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112820744B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010519137.3
申请日：2020-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 通过为反射器提供接地连接来解决降低图像传感装置(特别是近红外检测器)中的噪声的问题。反射器可通过将反射器耦合到衬底的接地区域的通孔来接地。衬底的接地区域可以是接近于衬底的表面形成的P+掺杂区域。具体来说，P+掺杂区域可以是光电二极管的部分。替代地，反射器可通过形成在衬底的前侧上方的金属内连线结构来接地。
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公开(公告)号：CN110867460B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201910185176.1
申请日：2019-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，提供了一种图像传感器的形成方法。该方法包括在半导体衬底中形成多个沟槽，其中，沟槽从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底中。在沟槽的下表面、沟槽的侧壁和半导体衬底的背侧上形成包括掺杂剂的外延层，其中，掺杂剂具有第一掺杂类型。将掺杂剂驱入半导体衬底中以沿外延层形成具有第一掺杂类型的第一掺杂区，其中，第一掺杂区将具有与第一掺杂类型相对的第二掺杂类型的第二掺杂区与沟槽的侧壁分离并且与半导体衬底的背侧分离。在半导体衬底的背侧上方形成介电层，其中，介电层填充沟槽以形成背侧深沟槽隔离结构。本发明的实施例还提供了CMOS图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114709206A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210115716.0
申请日：2022-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供了键合半导体器件及其形成方法。一种用于晶圆键合的方法，包括：接收键合层的布图，该布图具有不对称图案，通过设计规则检查器来确定布图的不对称程度是否在预定范围内，如果不对称程度超出预定范围，则修改布图以降低布图的不对称程度。该方法还包括：以计算机可读格式输出布图。
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公开(公告)号：CN113161420A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110008411.5
申请日：2021-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。
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