公开(公告)号：CN113130326B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202011263835.8

申请日：2020-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 褚志彪 ,  李明洋 ,  李连忠

IPC: H01L21/34 ,  H10D62/13 ,  H10D64/23 ,  H10D84/83

Abstract: 制造半导体器件的方法包括将等离子体应用至金属二硫属化物膜的部分。金属二硫属化物膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素。在应用等离子体之后，在金属二硫属化物膜的部分上方形成包括第二金属的金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN111986999A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010199511.6

申请日：2020-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈则安 ,  褚志彪 ,  李连忠 ,  张文豪 ,  曾建智 ,  温诏凯

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法，包括在第一衬底上方沉积铜层，对铜层进行退火，在铜层上沉积六方氮化硼(hBN)膜，以及从铜层去除hBN膜。可以将hBN膜转移至第二衬底。

公开(公告)号：CN111986999B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010199511.6

申请日：2020-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈则安 ,  褚志彪 ,  李连忠 ,  张文豪 ,  曾建智 ,  温诏凯

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法，包括在第一衬底上方沉积铜层，对铜层进行退火，在铜层上沉积六方氮化硼(hBN)膜，以及从铜层去除hBN膜。可以将hBN膜转移至第二衬底。

公开(公告)号：CN110942980A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910909281.5

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李明洋 ,  李连忠 ,  褚志彪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 一种形成二维材料层的方法、场效晶体管及其制造方法。在形成二维材料层的方法中，形成成核图案于基板之上，且形成过渡金属二硫属化物层，使得过渡金属二硫属化物层从成核图案横向地生长。在一或多个前述及以下实施例中，过渡金属二硫属化物层为单晶。

公开(公告)号：CN115498021A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210077484.4

申请日：2022-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 褚志彪 ,  陈则安

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种晶体管包括沟道层、栅极堆叠以及源极/漏极区。沟道层包括石墨烯层以及分散在石墨烯层中的六方氮化硼(hexagonal boron nitride，hBN)片。hBN片的排列方向(orientation)实质上对齐。栅极堆叠位于沟道层上。源极/漏极区位于栅极堆叠旁。

公开(公告)号：CN110942980B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201910909281.5

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李明洋 ,  李连忠 ,  褚志彪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 一种形成二维材料层的方法、场效晶体管及其制造方法。在形成二维材料层的方法中，形成成核图案于基板之上，且形成过渡金属二硫属化物层，使得过渡金属二硫属化物层从成核图案横向地生长。在一或多个前述及以下实施例中，过渡金属二硫属化物层为单晶。

公开(公告)号：CN113130326A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011263835.8

申请日：2020-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 褚志彪 ,  李明洋 ,  李连忠

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 制造半导体器件的方法包括将等离子体应用至金属二硫属化物膜的部分。金属二硫属化物膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素。在应用等离子体之后，在金属二硫属化物膜的部分上方形成包括第二金属的金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件。