公开(公告)号：CN111986999A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010199511.6

申请日：2020-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈则安 ,  褚志彪 ,  李连忠 ,  张文豪 ,  曾建智 ,  温诏凯

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法，包括在第一衬底上方沉积铜层，对铜层进行退火，在铜层上沉积六方氮化硼(hBN)膜，以及从铜层去除hBN膜。可以将hBN膜转移至第二衬底。

公开(公告)号：CN111986999B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010199511.6

申请日：2020-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈则安 ,  褚志彪 ,  李连忠 ,  张文豪 ,  曾建智 ,  温诏凯

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法，包括在第一衬底上方沉积铜层，对铜层进行退火，在铜层上沉积六方氮化硼(hBN)膜，以及从铜层去除hBN膜。可以将hBN膜转移至第二衬底。