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公开(公告)号:CN113257796B
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202110037764.8
申请日:2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/535
Abstract: 在一些实施例中,本公开涉及一种包含接合到第二集成电路管芯的第一集成电路管芯的三维集成电路(IC)堆叠。第一集成电路管芯包含第一半导体衬底、配置在第一半导体衬底的前侧上的第一内连线结构以及配置在第一内连线结构上方的第一接合结构。第二集成电路管芯包含第二半导体衬底、配置在第二半导体衬底的前侧上的第二内连线结构以及配置在第二半导体衬底的背侧上的第二接合结构。第一接合结构面向第二接合结构。另外,三维集成电路堆叠包含从第二接合结构延伸到第二半导体衬底的背侧且热耦合到第一内连线结构或第二内连线结构中的至少一个的第一背侧接触件。
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公开(公告)号:CN113257796A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110037764.8
申请日:2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/535
Abstract: 在一些实施例中,本公开涉及一种包含接合到第二集成电路管芯的第一集成电路管芯的三维集成电路(IC)堆叠。第一集成电路管芯包含第一半导体衬底、配置在第一半导体衬底的前侧上的第一内连线结构以及配置在第一内连线结构上方的第一接合结构。第二集成电路管芯包含第二半导体衬底、配置在第二半导体衬底的前侧上的第二内连线结构以及配置在第二半导体衬底的背侧上的第二接合结构。第一接合结构面向第二接合结构。另外,三维集成电路堆叠包含从第二接合结构延伸到第二半导体衬底的背侧且热耦合到第一内连线结构或第二内连线结构中的至少一个的第一背侧接触件。
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