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公开(公告)号：CN119421636A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411315211.4
申请日：2024-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种集成电路装置的制造方法，所述方法包括：沉积硬质掩模材料的第一层于介电材料的层之上；蚀刻硬质掩模材料的第一层，硬质掩模材料的被蚀刻的第一层包括具有第一侧向尺寸的被蚀刻部分；沉积硬质掩模材料的第二层于硬质掩模材料的第一层之上；蚀刻硬质掩模材料的第二层的至少一部分，同时允许留下硬质掩模材料的剩余部分，以暴露出介电材料的层的具有小于第一侧向尺寸的第二侧向尺寸的部分；以及在介电材料的层的暴露部分处蚀刻出进入介电材料的层中的沟槽。
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公开(公告)号：CN114824084A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210054079.0
申请日：2022-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种形成电容器结构的方法。该方法包括在下电极层上方形成电容器介电层，以及在电容器介电层上方形成上电极层。蚀刻上电极层以界定上电极且暴露电容器介电层的部分。间隔结构形成在上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上并且还沿着上电极的侧壁形成。蚀刻间隔结构以从上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上方去除间隔结构且限定间隔件。根据间隔件蚀刻电容器介电层和下电极层以限定电容器介电层和下电极。本公开还涉及一种电容器结构。
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公开(公告)号：CN222826416U
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202421395582.3
申请日：2024-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例的高密度电容器包括具有多个非同心圆柱状部分的底部电极、包括多个垂直部分及环绕部分的顶部电极及将顶部电极与底部电极分隔开的介电层。所述多个非同心圆柱状部分中的每一者包括内壳体及外壳体，且所述多个垂直部分中的每一者被底部电极的相应圆柱状部分的内壳体垂直地环绕。顶部电极的环绕部分分别垂直地环绕底部电极的所述多个非同心圆柱状部分中的每一者，使底部电极的相邻非同心圆柱状部分藉由顶部电极的环绕部分彼此分隔开。底部电极的所述多个非同心圆柱状部分中的至少一些圆柱状部分包括具有六边形对称性的空间分布。
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公开(公告)号：CN220021115U
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202321229828.5
申请日：2023-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L23/64 , H01L23/535 , H01L23/528 , H10N97/00
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种半导体结构包括基底、位在基底上的晶体管结构、耦接到晶体管结构的内连线结构、具有第一顶部电极及第一底部电极的第一电容器以及具有第二顶部电极及第二底部电极的第二电容器，内连线结构包括第一金属线、位在与第一金属线相同的金属化层中的第二金属线、位在于第一金属线及第二金属线上方的金属化层中的第三金属线，第一及第二顶部电极电性耦接到第三金属线且第一及第二底部电极分别电性耦接到第一及第二金属线，此配置方式可促进后段工艺单元的紧凑化。
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公开(公告)号：CN220963352U
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202322373358.6
申请日：2023-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型提供一种包括延伸通孔的集成芯片及半导体结构，所述延伸通孔跨越导线和通孔的组合高度且具有比导线更小的占地面积。延伸通孔可以在尺寸和导线的间隔达到下限的位置取代线和相邻的通孔。由于延伸通孔比线占用空间更小，因此用延伸通孔取代导线和相邻的通孔可以缓和间隔，并允许进一步减小像素的尺寸。延伸通孔可应用于像素电路中所用的电容器阵列。
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