公开(公告)号：CN116525631A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310204298.7

申请日：2023-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 ,  林冠华 ,  周耕宇 ,  许凯钧 ,  林颂恩 ,  王文德 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了具有隔离结构的光学器件及其制造方法。光学器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底、设置在衬底中的第一辐射感测器件和第二辐射感测器件、设置在衬底中并且位于所述第一辐射感测器件和所述第二辐射感测器件之间的第一隔离结构。第一隔离结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光学器件还包括设置在衬底中并且位于第一隔离结构的第一表面上的第二隔离结构。第二隔离结构包括金属结构和围绕金属结构的介电层。第二隔离结构在衬底的第一表面上方垂直地延伸。

公开(公告)号：CN114765246A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110947819.9

申请日：2021-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林杏芝 ,  林冠华

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/04

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)。所述IC包括设置在半导体衬底之上的第一金属间介电(IMD)结构。金属‑绝缘体‑金属(MIM)装置设置在第一IMD结构之上。所述MIM装置包括彼此间隔开的至少三个金属板。所述MIM装置还包括多个电容器绝缘体结构，其中所述多个电容器绝缘体结构中的每一者设置在所述至少三个金属板中的相邻的金属板之间且对所述相邻的金属板进行电隔离。

公开(公告)号：CN220963352U

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202322373358.6

申请日：2023-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟贤 ,  杨敦年 ,  林冠华 ,  林杏芝 ,  刘人诚 ,  刘克群 ,  高敏峰 ,  王明璁

IPC: H01L27/146

Abstract: 本实用新型提供一种包括延伸通孔的集成芯片及半导体结构，所述延伸通孔跨越导线和通孔的组合高度且具有比导线更小的占地面积。延伸通孔可以在尺寸和导线的间隔达到下限的位置取代线和相邻的通孔。由于延伸通孔比线占用空间更小，因此用延伸通孔取代导线和相邻的通孔可以缓和间隔，并允许进一步减小像素的尺寸。延伸通孔可应用于像素电路中所用的电容器阵列。

公开(公告)号：CN220021115U

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202321229828.5

申请日：2023-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟贤 ,  林杏芝 ,  刘克群 ,  高敏峰 ,  林冠华

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/64 ,  H01L23/535 ,  H01L23/528 ,  H10N97/00

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种半导体结构包括基底、位在基底上的晶体管结构、耦接到晶体管结构的内连线结构、具有第一顶部电极及第一底部电极的第一电容器以及具有第二顶部电极及第二底部电极的第二电容器，内连线结构包括第一金属线、位在与第一金属线相同的金属化层中的第二金属线、位在于第一金属线及第二金属线上方的金属化层中的第三金属线，第一及第二顶部电极电性耦接到第三金属线且第一及第二底部电极分别电性耦接到第一及第二金属线，此配置方式可促进后段工艺单元的紧凑化。